英飞凌IPG20N04S4L11AATMA1：OptiMOS™-T2 功率晶体管技术规格

"IPG20N04S4L11AATMA1 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片" 本文档详细介绍了英飞凌（INFINEON）制造的一款名为IPG20N04S4L11AATMA1的OptiMOS™-T2功率晶体管。这款芯片是一款双通道N沟道逻辑电平增强模式的电子元器件，特别适合在汽车电子应用中使用，因为它符合AEC-Q101的品质标准，确保了在恶劣环境下的可靠性和稳定性。 该器件的主要特性包括： 1. **MSL1级别**: 允许最高达260°C的峰值再流温度，确保了在生产过程中的耐热性。 2. **操作温度范围宽广**: 能在-55°C到175°C的温度范围内工作，适应各种环境条件。 3. **环保设计**: 符合RoHS标准，是绿色产品。 4. **通过100%雪崩测试**: 确保在过载情况下仍能保持稳定，具备良好的抗冲击能力。 5. **适用于自动光学检测(AOI)**: 提高了生产线上质量控制的效率。 在技术规格方面，IPG20N04S4L11AATMA1具有以下关键参数： - **连续漏极电流**: 在25°C时，VGS = 10V的条件下，单通道最大为20A；在100°C时，这一数值同样为20A。 - **脉冲漏极电流**: 最大瞬时值为80A，这允许设备处理短时间内的大电流脉冲。 - **雪崩能量**: 单脉冲下，当ID = 10A时，最大为80mJ，表明其承受浪涌电流的能力。 - **雪崩电流**: 单脉冲的最大值为15A。 - **栅源电压**: 门极至源极的最大电压为±16V。 - **最大总功耗**: 在25°C下，单通道运行时，最大为41W。 - **静态导通电阻**: RDS(on)，最大值为11.6mΩ，这影响了芯片在工作状态下的功率损失。 - **封装信息**: 使用PG-TDSON-8-10封装，标识代码为4N04L11。 此外，热性能也是关键考虑因素之一。尽管没有提供最小、典型和最大值，但文档提到了结-壳热阻（RthJC），这是衡量芯片内部热能传递到封装外壳效率的指标。热性能对于确保芯片在高温工作环境中保持稳定至关重要。 IPG20N04S4L11AATMA1是英飞凌推出的一款高性能、耐用且易于制造的功率晶体管，适用于需要高电流处理能力和良好热管理的汽车电子和其他工业应用。其出色的技术参数和严格的质量认证使其成为可靠的选择。