英飞凌OptiMOS 3M系列高频功率MOSFET BSZ035N03MS中文规格手册

英飞凌BSZ035N03MS G是一款OptiMOS™3M系列的功率MOSFET，专为5V驱动应用设计，如笔记本电脑、VGA和POL。这款芯片在高频开关电源转换器（SMPS）中有出色表现，具有低的寄生导通电阻（FOMSW），确保了在高频率工作时的高效能。 主要特性包括： 1. **优化的5V驱动应用**：针对笔记本电脑等设备的电压需求进行了优化，提供稳定可靠的操作。 2. **低FOMSW**：有助于减少开关损耗，适合高频操作。 3. **100%雪崩测试**：确保在极端条件下仍能安全运行，增强了器件的可靠性。 4. **N沟道**：适用于逻辑控制电路，提供高电流处理能力。 5. **低栅极到源极电阻（RDS(on)）**：在4.5V VGS下，RDS(on)值非常低，有助于降低功耗。 6. **优秀的门极充电效率**：FOM表现优良，提高开关速度和效率。 7. **符合JEDEC标准**：经过严格测试，确保适用于目标应用。 8. **卓越的热性能**：具有优良的热阻抗，能在高温环境下保持性能。 9. **环保合规**：采用无铅镀层和RoHS合规材料，同时符合IEC 61249-2-21无卤要求。 10. **最大参数**：在指定条件下，如连续和脉冲电流、雪崩电流及能量等都有明确的限制。 在封装方面，BSZ035N03MS G采用PG-TSDSON-8封装，并且有明确的标记，如035N03M。它支持的VDS电压为30V，不同工作条件下的最大RDS(on)值有所不同，例如在10V VGS下为3.5mW，而在4.5V VGS下为4.3mΩ。此外，还提供了ID（连续和脉冲）和EAS（单脉冲雪崩能量）等关键参数的数据。 产品简述表明，这是一款第2.0版的规格书，日期为2014年9月29日，包含了关于BSZ035N03MS G的详细技术信息，可供设计工程师在选择和使用该器件时参考。