SOT23-20V 6A N-Channel MOSFET: Halogen-Free & High-Performance P...

本文档介绍的是CES2308-VB型号的SOT23封装N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件采用了先进的Trench FET技术，具有低导通电阻（RDS(ON)）特性，适用于多种高效率应用。 该MOSFET的主要特点包括： 1. **封装形式**：采用SOT23封装，这是一种紧凑型封装，适合于空间受限的应用，如便携式设备中的负载开关。 2. **电气参数**： - **N-Channel沟道**：针对逻辑信号设计，工作在正向偏压下。 - **耐压等级**：最大允许的Drain-Source电压（VDS）为20V，确保在高电压条件下仍能稳定运行。 - **电流能力**：在VGS = 4.5V时，持续导通电流ID（典型值）可达6A，而在8.8V时略有下降。 - **阈值电压（Vth）**：范围为0.45V至1V，这影响了栅极电压与导通电流之间的关系。 3. **安全特性**： - **环保合规**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，满足RoHS指令2002/95/EC的要求。 - **可靠性保障**：100% Rg测试，确保在长期使用中的性能稳定。 - **热管理**：最大瞬态状态下的功率耗散限制为125°C/W，在不同温度条件下有明确的连续和脉冲电流限制。 4. **应用领域**： - **直流/直流转换器**：这种MOSFET适用于需要高效、小型化电源转换的电路。 - **便携式设备负载开关**：其小型封装和低导通电阻特别适合集成到紧凑型电路板上。 5. **操作与存储条件**：工作温度范围宽广，从-55°C到150°C，存储温度上限也相当高，适应各种环境条件。 6. **推荐的焊接工艺**：文档提供了相关的焊接建议，确保在不同温度下进行安全操作。 CES2308-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，它的设计、特性使其成为电力电子设计中一个理想的组件，尤其是在需要低损耗、紧凑尺寸和可靠性的应用场景中。