MRF8P9040N:高性能射频场效应晶体管
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更新于2024-07-15
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"MRF8P9040N_Level2_Rev2_DKdatasheet.pdf" 是一款由Freescale Semiconductor(现为NXP Semiconductors的一部分)生产的射频功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件特别设计用于CDMA、W-CDMA和LTE基站应用,工作频率范围从700到1000MHz。它适用于Class AB和Class C模式下的各种典型蜂窝基站调制格式。
此文档主要提供了MRF8P9040N的详细规格和性能数据。MRF8P9040NR1、MRF8P9040GNR1和MRF8P9040NBR1是该型号的不同版本。该N-沟道增强型横向MOSFET在900MHz驱动应用中表现出色,具有良好的单载波W-CDMA性能。例如,在28V电源电压、320mA的IDQ(静态电流)下,平均输出功率可达到4.0W,且在输入信号峰均功率比(PAR)为7.5dB时,信道带宽为3.84MHz,且在0.01%的概率上,累积分布函数(CCDF)的I/Q幅度剪裁条件下,其性能稳定。
在频率测试中,如在920MHz、940MHz和960MHz,该器件的效率(ηD)和相邻信道功率比(ACPR)显示出一致性,分别为18.9dB、19.1dB和19.1dB,同时ACPR保持在-49.6dBc至-50.1dBc之间,这表明了其在宽频段内的高效能和低干扰特性。
此外,MRF8P9040N能够承受10:1的电压驻波比(VSWR),在32Vdc、940MHz条件下,可以连续波(CW)方式处理63W的输出功率,这比其额定输出功率高出3dB,体现了其增强的坚固性。其在1dB压缩点的典型输出功率约为42W,这意味着在接近饱和状态下仍能保持良好的线性度。
在700MHz的驱动应用中,MRF8P9040N同样表现出良好的性能,与900MHz时的指标相似。这些数据对评估和设计使用MRF8P9040N的无线通信系统至关重要,特别是那些需要高功率输出和低干扰性能的基站解决方案。
总结而言,MRF8P9040N是一款高性能的射频功率MOSFET,适用于多种无线通信标准,如CDMA、W-CDMA和LTE,具备良好的功率处理能力和射频性能,特别适合基站放大器和功率驱动器的应用。
2021-06-10 上传
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