SUD70N03-04P-VB N沟道TO252封装MOSFET应用分析和参数详解

SUD70N03-04P-VB N沟道TO252封装MOSFET应用分析 SUD70N03-04P-VB是一款N沟道TO252封装MOSFET，具有TrenchFET®PowerMOSFET结构，100% Rg and UI-tested，符合RoHS Directive 2011/65/EU标准。本文将对SUD70N03-04P-VB的特性、应用场景和电气参数进行详细分析。 **特性** SUD70N03-04P-VB具有以下特性： * TrenchFET®PowerMOSFET结构，提供了高效率的开关性能 * 100% Rg and UI-tested，确保了产品的可靠性 * 符合RoHS Directive 2011/65/EU标准，符合环保要求 **应用场景** SUD70N03-04P-VB广泛应用于以下场景： * OR-ing应用：SUD70N03-04P-VB可以用于OR-ing应用中，提供了高效率的开关性能 * 服务器应用：SUD70N03-04P-VB可以用于服务器应用中，提供了高效率的电源转换 * DC/DC应用：SUD70N03-04P-VB可以用于DC/DC应用中，提供了高效率的电源转换 **电气参数** SUD70N03-04P-VB的电气参数如下： * 漏电压(VDS)：30V * 抵值(RDS(on))：0.002Ω * 最大漏电流(ID)：100A * 门电荷(Qg)：2nC * 最大工作温度(TJ)：175°C * 最大存储温度(Tstg)：-55°C to 175°C **应用注意事项** 在应用SUD70N03-04P-VB时，需要注意以下几点： * 确保产品的使用环境符合RoHS Directive 2011/65/EU标准 * 确保产品的使用温度在-55°C to 175°C范围内 * 确保产品的使用电流在100A以内 * 确保产品的使用电压在30V以内 SUD70N03-04P-VB是一款高性能的N沟道TO252封装MOSFET，适合广泛的应用场景，包括OR-ing、服务器和DC/DC应用。