2SK1658-T1-A-VB N沟道MOSFET特性和应用

"本文主要分析了2SK1658-T1-A-VB这款N沟道SC70-3封装的MOSFET，详细介绍了其特性、应用领域以及技术参数，包括最大工作电压、导通电阻、电容、电流等关键指标。" 2SK1658-T1-A-VB是一款N沟道MOSFET，采用环保的无卤素材料制造，符合IEC61249-2-21标准。它采用了TrenchFET®技术，提供卓越的电气性能和耐静电（ESD）保护，能承受高达2000V的人体模型（HBM）静电放电。此外，该器件已通过100%栅极电荷（Rg）测试，符合RoHS指令2002/95/EC。 在应用方面，2SK1658-T1-A-VB适用于便携式设备，如负载开关和电池开关，并可用于电机、继电器和电磁铁的负载开关。其小巧的SC70-3封装使其非常适合空间有限的电路设计。 产品概述中列出了关键的技术参数。最大漏源电压VDS为20V，这意味着它可以在不超过20V的电压下安全工作。RDS(on)是衡量MOSFET导通电阻的重要指标，当栅极电压VGS分别为10V、4.5V和2.5V时，典型值分别为0.036Ω、0.040Ω和0.048Ω。连续漏极电流ID在不同温度下有所不同，如在25°C时可达4A，而在70°C时则限制为3.6A。栅极电荷Qg的典型值为4nC，这影响了开关速度和功率损耗。 绝对最大额定值在25°C时，漏极源电压VDS为20V，栅极源电压VGS为±12V，连续漏极电流ID为4A（但会随温度升高而下降）。脉冲漏极电流IDM可达20A，而连续源漏二极管电流IS在25°C时为2.3A，1.3A（表面贴装于1"x1"FR4板上）。最大功率耗散在25°C和70°C分别为2.8W和1.8W，而工作和存储的结温范围是-55°C到150°C。 这些参数对于理解和选择适合特定应用的2SK1658-T1-A-VB至关重要，设计师可以依据这些信息评估其在电源管理、负载切换、电池保护等方面的能力，确保在实际使用中安全可靠。