HM4828A-VB: 60V双N沟道SOP8 MOSFET详解与应用指导

HM4828A-VB是一款由VBSEMICONDUCTOR生产的双极型N沟道60V高压（D-S）175°C耐关断（C-MOSFET）器件，它采用先进的Trench FET技术，确保了高效率和低损耗。该器件的特点包括： 1. **封装形式**：HM4828A-VB采用SOP8封装，这是一种紧凑的8脚表面安装元器件，适合于空间受限的应用。 2. **沟道特性**：每个通道具有两个独立的N沟道MOSFET，提供了2个独立的控制路径，方便进行并联或互补驱动。 3. **电压规格**： - **集电极-源极电压（VDS）**：最大值为60V，确保了在安全工作区域内操作。 - **栅极-源极电压（VGS）**：标准操作范围为±20V，可以实现高开关速度和宽动态范围。 4. **电流规格**： - **连续漏极电流（ID）**：在25°C时，单个通道的最大电流为7A，而在125°C下降为4A。 - **反向导通电流（IS）**：作为二极管时的源极电流限制为3.6A，用于保护电路免受反向击穿。 5. **脉冲特性**： - **最大脉冲漏极电流（IDM）**：单个脉冲下的峰值电流为28A，适用于短时间脉冲应用。 - **单脉冲雪崩电流（IL）** 和能量（EAS）：在0.1mH电感条件下，这些值分别为18A和16.2mJ，确保了过载保护。 6. **散热性能**： - **最大功率耗散（PD）**：在25°C下为4W，当温度升至125°C时，允许的瞬时功率为1.3W。 - **热阻**：Junction-to-Ambient热阻（RthJA）为110°C/W，表明器件对周围环境的散热能力。 7. **操作温度范围**：HM4828A-VB的Junction和Storage Temperature Range为-55°C至+175°C，确保了设备在各种工作条件下的可靠运行。 在实际应用中，HM4828A-VB适合于需要高性能、低损耗和高可靠性的开关电源、电机控制、工业设备以及电源管理等场合，特别是在需要控制大电流和高电压的系统中。设计者需要注意其脉冲测试条件和封装限制，确保在规定的工作条件下正确使用。