2SK2159-VB: N沟道SOT89-3封装环保MOSFET详解及应用
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更新于2024-08-03
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2SK2159-VB是一种采用N沟道TrenchFET技术的高性能SOT89-3封装MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。这种MOS管具有以下关键特性:
1. **无卤素材料**:该MOSFET设计上注重环保,使用了不含卤素的材料,符合现代电子产品对环境友好的要求。
2. **TrenchFET结构**:TrenchFET是2SK2159-VB的核心技术,它利用深沟槽工艺提高开关速度和热性能,有助于减少导通电阻和改善散热。
3. **应用领域**:
- **便携设备负载开关**:由于其紧凑的SOT89-3封装和低功耗特性,2SK2159-VB非常适合在小型移动设备中作为负载开关使用,如智能手机、平板电脑等的电源管理。
4. **电气参数**:
- **最大电压**:VDS(漏源电压)可承受0V,而VGS(栅源电压)范围为±20V,确保了安全的工作区间。
- **电流能力**:
- 连续工作条件下的漏极电流(ID)在不同温度下有所不同,如在25°C时连续工作电流和脉冲电流限制明确。
- 源极漏极二极管电流(IS)也在25°C时给出具体值。
- **功率处理**:最大功率损耗(PD)在不同的温度条件下有明确规定,例如在25°C时,功率极限为95°C/W,而在70°C下有所降低。
5. **注意事项**:
- **封装限制**:该MOSFET仅适用于特定的封装,如1"x1" FR4板,并且建议在25°C的温度条件下工作。
- **焊接**:由于是无引脚(Leadless)设计,不推荐使用烙铁进行手动焊接,可能会影响底部侧的可靠焊锡连接。
- **重新焊接条件**:对于此类无引脚组件,需要遵循特定的再工作指南,可能涉及专门的焊接方法。
2SK2159-VB是一款适合于低功耗、小型化电子设备的高性能N沟道MOSFET,提供了清晰的电气规格和工作温度限制,但用户在使用过程中需要注意其特定的焊接和封装要求,以确保产品的稳定性和可靠性。
2023-12-28 上传
2023-12-18 上传
2024-01-02 上传
2023-12-21 上传
2023-12-25 上传
2023-12-27 上传
2023-12-22 上传
2023-12-20 上传
2024-08-26 上传
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