SI4953DY-T1-E3-VB-MOSFET: -30V 高性能沟道MOSFET详解

SI4953DY-T1-E3-VB-MOSFET是一款高性能、低功耗的双P沟道MOSFET，它具有以下关键特性： 1. **环保设计**：这款MOSFET采用无卤素材料，符合绿色电子的趋势，对环境友好。 2. **Trench FET技术**：采用先进的Trench FET结构，能够提供更小的栅极电荷，提高开关速度和效率，并降低导通电阻。 3. **高质量保证**：产品通过了100%的UISTested测试，确保了其可靠性和稳定性。 4. **电气规格**： - **最大漏源电压（VDS）**：-30V，确保了设备在宽广的工作电压范围内操作。 - **导通电阻（RDS(ON)）**： - 在10V时，RDS(ON)为35mΩ，表现出优秀的低阻抗特性。 - 在4.5V时，RDS(ON)为48mΩ，保证了在不同负载条件下的高效转换。 - **栅极电压（VGS）**：±20V，允许的栅极控制电压范围大，增加了控制灵活性。 - **最大连续漏电流（ID）**： - 在TJ=150°C下，25°C时为-7.3A，随着温度升高，电流会相应下降。 - 在不同工作温度下，如70°C时，电流有所减小。 - **脉冲漏电流（IDM）**：-32A，适用于短时间脉冲操作。 5. **保护特性**： - **单脉冲雪崩电流（IAS）**：-20A，表示设备能承受的突发过载能力。 - **单脉冲雪崩能量（EAS）**：20mJ，确保了在过压事件中的安全性。 6. **热管理**： - **最大功率损耗**：在25°C条件下，静态功耗为5.0W，随着温度上升，会自动降级以防止过热。 - **散热性能**：有明确的热阻值，用于计算结温与环境温度之间的关系。 7. **温度范围**：工作结温范围从-55°C到150°C，存储温度范围相同，保证了器件在各种环境下的耐久性。 8. **封装与尺寸**：该器件表面安装，封装在1"x1" FR4板上，便于集成到电路板设计中。 9. **限制条件**：所有的最大规格是在特定条件下给出的，如TJ=25°C，除非另有注明。 SI4953DY-T1-E3-VB-MOSFET是一款针对负载开关等应用设计的高性能MOSFET，适用于对低RDS(ON)、高开关速度以及宽工作温度范围有需求的系统。在选择和使用时，需注意其功率处理能力和热管理要求。