《微处理器系统结构与嵌入式系统设计》第二版勘误详情

需积分: 14 5 下载量 31 浏览量 更新于2024-09-13 收藏 529KB DOC 举报
"《微处理器系统结构与嵌入式系统设计(第二版)》勘误表,由李广军发布,包含了书中多个错误的纠正,包括语法、术语、图示等方面的修正。" 这篇内容主要涉及的是《微处理器系统结构与嵌入式系统设计》第二版的勘误信息,书中可能存在一些技术性的错误,这些错误被整理成表格形式,方便读者参考更正。以下是书中的部分知识点: 1. **存储器操作**:在第33页,提到存储单元的操作,正确的方式应是将存储单元的地址而不是存储单元本身送入数据总线。 2. **寄存器名称**:第63页,MDR(Memory Data Register)应改为MBR(Memory Buffer Register),这是两个不同功能的寄存器。 3. **处理器与内存交互**:同一页,提到了处理器与内存的配合,原文可能表述不清,修正后强调了是处理器与内存的配合。 4. **图解说明**:在图3-8的描述中,建议读者同时参考图3-7和3-9,以更好地理解内容。 5. **指令执行步骤**:第65页,原描述中可能混淆了指令周期和一条指令的执行步骤,修正后更加清晰。 6. **存储单元地址**:在图3-29中,存储单元地址的表示有误,修正后的地址格式更加准确。 7. **性能计算**:第88页,关于连续处理指令的吞吐量和效率的计算,原文表述不完整,修正后给出了完整的公式。 8. **总线周期**:第104页,从主存储器读取一个字数据需要2个总线周期,而非原文的3个,修正了时间计算的错误。 9. **I/O接口**:在第127页,列举的通信协议中,Microwire被修正为SPI,同时补充了其他协议如CAN。 10. **SRAM结构**:第136页,解释了SRAM的存储单元是MOS管构成的双稳态电路,纠正了之前对SRAM基本存储单元的描述。 11. **双译码编址方式**:在第142页的图5-5中,对双译码编址方式的描述进行了修正,明确了M的含义。 这些勘误反映了教材编写过程中的常见问题,对于读者理解和学习微处理器系统结构与嵌入式系统设计提供了更准确的信息,避免了因误解而产生的学习困扰。读者在学习过程中,应及时参照勘误表,确保获取正确的知识。