BSS123Q-7-VB：N沟道低阈值MOSFET技术规格

"BSS123Q-7-VB是一款N沟道的MOSFET，采用SOT23封装，适用于高速切换应用。这款器件具有低阈值电压（2V typ.）、低输入电容（25pF）、快速切换速度（25ns）以及低输入和输出漏电流的特性。它还是一款符合RoHS指令的TrenchFET®功率MOSFET。" BSS123Q-7-VB场效应管是电子工程中的一个重要组件，主要用于控制电流流动。作为一款N沟道MOSFET，它在栅极电压（VGS）高于特定阈值时，允许电流从源极（S）流向漏极（D）。该器件的特性使其在各种电路设计中具有广泛的应用，如开关电源、电机驱动、信号开关等。 这款MOSFET的最大特点包括： 1. **低阈值电压**：2V（典型值），这意味着在较低的控制电压下即可开启导通通道，降低了操作所需的能量。 2. **低输入电容**：仅为25pF，这有助于提高开关速度和整体电路性能，减少信号延迟。 3. **快速切换速度**：25ns，这使得BSS123Q-7-VB适合于需要快速响应的高频应用。 4. **低输入和输出漏电流**：确保在关闭状态下的低泄漏，提高了效率和稳定性。 5. **TrenchFET技术**：采用沟槽结构的MOSFET设计，提供更好的热性能和更高的开关密度。 规格参数方面，BSS123Q-7-VB的耐压能力为100V，额定连续漏极电流（ID）在25°C时为260mA，100°C时为150mA。脉冲漏极电流IDM最高可达800mA，而最大功率耗散在25°C下为0.37W，100°C下为0.15W。其热特性包括最大结壳热阻RthJA为350°C/W，工作及储存温度范围为-55至150°C。 在实际应用中，需注意器件的最大工作条件，例如脉冲宽度应限制在最大结温范围内，且必须考虑到热管理，以避免过热导致性能下降或损坏。此外，BSS123Q-7-VB符合IEC61249-2-21的无卤素定义，符合RoHS指令，意味着它不含对环境有害的物质，符合现代电子产品环保要求。 BSS123Q-7-VB是一款高性能、小型化的N沟道MOSFET，适合于需要快速切换、低功耗和高效能的电路设计。用户可以通过VBsemi提供的服务热线获取更多关于此产品的详细信息和技术支持。