VBM法揭示精神分裂症缺陷型与非缺陷型灰质结构差异

本文主要探讨了运用Voxel-Based Morphometry (VBM) 方法来研究精神分裂症患者脑灰质结构的异常情况，特别是缺陷型与非缺陷型之间的差异。作者王晓晟和王湘通过对缺陷型精神分裂症（n=10）和非缺陷型精神分裂症（n=11）患者，以及正常对照（n=15）的全脑扫描，使用Gesigna TwinSpeed 1.5T超导型MRI成像技术获取了T1脑解剖结构图像。通过Matlab 7.6和SPM5进行了VBM的优化数据分析，采用成组t检验来揭示病患与正常人群的灰质体积变化。 研究结果显示，非缺陷型精神分裂症患者的大脑灰质体积在额、顶、颞、枕叶及基底节区域表现出下降，这表明这些区域可能受到了一定程度的影响。相比之下，缺陷型患者的灰质损伤更为广泛且显著，尤其集中在左额内侧回、双侧额下回、左侧额中回和左侧眶回等多个人类高级思维功能相关的区域，显示出额叶损伤的特征。此外，缺陷型患者还显示出左颞中回、右颞上回以及右侧脑岛的灰质体积减少，这些区域与语言、记忆和情感处理等功能密切相关。 两亚型的比较进一步揭示，缺陷型精神分裂症患者在左额内侧回、双侧额下回、右中央前回以及右颞上回等脑区的灰质体积明显低于非缺陷型患者，这些发现强调了精神分裂症的结构异质性，即不同类型患者可能存在不同的大脑灰质结构改变模式。 本文的研究成果不仅有助于深化对精神分裂症病理机制的理解，也为早期诊断和个性化治疗提供了潜在的生物标志物。同时，它支持了基于VBM的脑形态测量学作为研究精神疾病神经影像学的一个有力工具。关键词“缺陷型精神分裂症”、“磁共振成像”、“基于体素的形态学分析”以及“灰质体积差异”突出了研究的核心内容。