HM4828-VB双N沟道60V MOSFET特性和应用

"HM4828-VB是一款双N沟道60V MOSFET，采用SOP8封装，适用于各种电源管理、开关应用。它具有TrenchFET技术，确保了低电阻和高效率。产品特点包括100%的Rg和UIS测试，保证了产品的可靠性和稳定性。" 在电子工程领域，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛使用的半导体器件，主要用作开关或放大器。HM4828-VB是双通道N沟道MOSFET，这意味着它可以处理两个独立的电流路径，每个通道都能承受高达7安培的连续电流。其特性参数显示，在VGS=10V时，每通道的RDS(on)仅为0.028Ω，而在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.030Ω。低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的内阻极低，从而能提供更低的电压降和更高的效率。 该器件的最大额定值包括60V的Drain-Source电压（VDS），这决定了MOSFET能够安全处理的最大电压。同时，它能承受±20V的Gate-Source电压（VGS）。在25°C环境下，每个通道可以连续通过7A电流（ID），而在125°C环境下，这个值降低到4A，这是考虑到高温下器件性能的退化。 此外，HM4828-VB还具备一定的瞬态电流能力，例如脉冲 Drain 电流（IDM）可达到28A，单脉冲雪崩电流（IAS）可达18A，表明它在短时间内的过载能力。单脉冲雪崩能量（EAS）为16.2mJ，这意味着在设计电路时需要考虑器件的热耗散能力。最大功率损耗（PD）在25°C下为4W，125°C下则降至1.3W。 在热性能方面，结温范围为-55至+175°C，允许在广泛的温度环境中工作。结到环境的热阻（RthJA）为110°C/W，这意味着每增加1W的功率，芯片温度将上升110°C。考虑到实际应用，设计者应确保足够的散热措施，以防止过热。 HM4828-VB是一款高性能的双N沟道MOSFET，适用于需要高效、低内阻开关操作的应用，如直流电源转换、电机控制、负载切换等。其紧凑的SOP8封装使其易于集成到各种电路设计中，而其全面的电气和热特性测试则保证了其在实际应用中的稳定性和可靠性。