双极脉冲下EMMO TFT的稳健性能：抑制动态退化与DC效应

本文主要探讨了双极栅极脉冲应力对高金属氧化物金属薄膜晶体管（Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistors, EMMO TFTs）可靠性的影响。不同于传统的非晶态铟镓锌氧化物TFT，EMMO TFT在脉冲过程中显示出较低的动态退化，表明其在快速电压变化时的性能稳定。研究发现，虽然在正偏置应力（Positive Bias Stress, PBS）和负偏置应力（Negative Bias Stress, NBS）下都会观察到阈值电压（Threshold Voltage, Vth）漂移，但双极性脉冲应力所导致的Vth漂移幅度小于等效PBS下的效果。 在相同的正栅极偏置条件下，双极性脉冲中的Vth偏移在负偏压阶段显示出一定程度的恢复迹象，这可能暗示着一种自我修复机制在起作用。这种现象与EMMO TFT在制造过程中通过优化氧化热处理工艺，提升了沟道和栅极氧化物的质量有关。这种改进使得EMMO TFT在承受双极性栅极脉冲应力时，表现出更好的可靠性和稳定性，特别是在考虑到脉冲操作环境的实际应用中，这显得尤为重要。 此外，本文的研究结果对于设计和优化下一代高性能微电子设备具有重要意义，特别是在需要频繁的开关操作和长时间工作于极端电压条件下的应用场景，如物联网、显示屏驱动器以及电源管理电路等。通过深入理解EMMO TFT在双极性应力下的行为，工程师们能够更好地预测和控制器件的长期性能，从而提升整个系统的可靠性和寿命。