多体交叉存储器设计:提高主存数据传输率
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更新于2024-09-04
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"北交大的‘计算机组成原理_研究型教学_多体交叉’文档,是一份关于计算机组成原理的详细学习资料,包含了多体交叉存储器设计的实验报告,配有截图和步骤解释,覆盖了所有相关思考题。"
本文档主要探讨了计算机组成原理中的多体交叉存储器设计,这一主题对于理解计算机系统的高速数据处理能力至关重要。多体交叉存储器是一种由多个独立且容量相等的存储模块组成的存储系统,旨在提升主存储器的数据传输速率。这种设计允许各个存储模块并行工作,同时通过交叉访问策略进一步优化性能。
每个存储模块都具备独立的地址寄存器(MAR)、数据寄存器(MDR)、地址译码、驱动电路和读/写电路,确保每个模块都能独立地与CPU交互。多体交叉存储器的工作模式主要有两种:地址码高位交叉和地址码低位交叉。这两种方式都是为了实现高效的并行和交叉访问,从而提高数据读取和写入的速度。
主存储器的并行读写技术是提高系统性能的关键。一体多字结构通过增加每个主存单元的数据位来同时存储多个主存字,而多体交叉编址技术则是将主存储器分割成多个独立读写的存储体,这些存储体既可以单独操作,也可以协同工作,以提供更高的读写速度。在实际应用中,多体交叉存储器通过组织多个DRAM芯片,利用它们的并行性,可以一次读取或写入多个字,实现了存储器内部的字交叉访问。
关键词如“高位交叉”、“低位交叉”和“并行”、“交叉”突显了设计的核心概念。通过这些技术,不仅可以提升存储器的吞吐量,还能在复杂的计算任务中减少延迟,为高性能计算和实时数据处理提供了基础。
这份“计算机组成原理研究型教学”的作业深入讨论了多体交叉存储器的设计原理和实现方法,为学习者提供了丰富的实践经验和理论知识,有助于深化对计算机系统底层架构的理解。
2016-07-29 上传
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2021-11-07 上传
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