P5504EDG-VB:P沟道低热阻TrenchFET功率MOSFET
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更新于2024-08-03
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"P5504EDG-VB是一款P沟道的TrenchFET功率MOSFET,采用TO252封装,具有低热阻特性,且经过100%的Rg和UIS测试。该器件适用于需要高效能和稳定性的应用。"
在电子工程领域,P5504EDG-VB场效应管是一款重要的半导体组件,主要用于电源管理、开关电路以及驱动器等应用。它的核心特性是采用了TrenchFET技术,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上挖掘精细的沟槽来实现更低的电阻和更高的开关速度,从而提高整体电路效率并减少发热。
这款MOSFET的封装形式为TO252,这是一种常见的表面贴装封装,具有良好的散热性能。低热阻(Rth)意味着当器件工作时,热量能够更有效地从芯片传递到周围环境,降低了过热的风险,增强了器件的可靠性。具体来说,其结壳到环境的热阻(RthJC)为1.1°C/W,而结到板的热阻(RthJA)为50°C/W,这表示在特定条件下,每瓦功率产生的温度上升是这些数值。
参数表中列出了P5504EDG-VB的关键电气特性。例如,当栅极电压(VGS)为-10V时,漏源导通电阻(RDS(on))仅为0.012Ω,而在VGS=-4.5V时,RDS(on)为0.015Ω,这表明在较低的栅极电压下,器件仍能保持相对较低的导通电阻,从而提供高效的电流控制。最大连续漏源电流(ID)为-50A,适合处理较大电流的电路。此外,器件的最大漏源电压(VDS)为-40V,可以承受一定的反向电压。
安全操作区域的参数如脉冲 Drain 电流(IDM)、单脉冲雪崩电流(IAS)和单脉冲雪崩能量(EAS)等,确保了在瞬态条件下P5504EDG-VB的稳定性。最大功率耗散(PD)在不同温度下有不同的限制,这需要在设计电路时考虑以防止过热。
P5504EDG-VB是一款高性能的P沟道MOSFET,适用于需要高效、低损耗和良好散热性能的电路设计。其详细的技术规格和测试参数为工程师提供了可靠的设计依据,确保了在各种应用中的稳定运行。
2024-01-02 上传
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