P2504EDG-VB：高性能P沟道TO252封装场效应晶体管

P2504EDG-VB是一款专为高效率和低热阻设计的P沟道TrenchFET®功率MOSFET，采用TO252封装。这款晶体管的特点包括： 1. **技术特性**： - TrenchFET结构：利用深沟槽工艺，提供出色的开关性能和高温稳定性。 - 低热阻封装：TO252封装有助于减少器件在工作过程中的热量传递，提高散热效率。 2. **测试与规格**： - 100%的Rg和UIS测试：确保了良好的输入阻抗和单元关断能力。 - 脉冲测试限制：脉宽不超过300微秒，占空比不超过2%，适用于特定应用场合。 - 参数验证进行中：表明产品持续优化中，可能存在未来更新的性能参数。 3. **电气参数**： - VDS（漏源电压）：最大可达-40V，保证了宽广的工作电压范围。 - RDS(on)（导通电阻）： - 在VGS=-10V时为0.012Ω，显示出良好的低栅极电压下的高驱动能力。 - 在VGS=-4.5V时为0.015Ω，适合不同工作条件下的高效能量传输。 - ID（连续漏电流）：最大可承受-50A的电流负载。 4. **安全限制**： - 绝对最大额定值：在25°C下，Drain-Source电压、Gate-Source电压和连续漏电流都有明确限制。 - 高温条件下的电流限制：如在125°C下，连续漏电流会相应降低。 5. **过载保护**： - PulsedDrainCurrent（单脉冲漏电流）和SinglePulseAvalancheCurrent（单脉冲雪崩电流）提供了短时间大电流峰值的能力。 - IAS（单脉冲雪崩电流）和EAS（单脉冲雪崩能量）确保了设备在短时间内承受极端条件下的安全性。 6. **热性能**： - ThermalResistance Ratings (Rth)提供了关键的热管理信息，如Junction-to-Ambient（器件到环境）和Junction-to-Case（器件到基座）的热阻，确保在不同温度条件下可靠运行。 P2504EDG-VB是一款适合于高电压、低损耗和高效率应用的P沟道MOSFET，具有严格的测试标准和优化的热管理特性。在选择和使用该型号时，需注意其封装限制、脉冲测试条件以及工作温度范围内的操作。