Configure SDRAM Timing by
设置决定 SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的 SPD (SerialPresence Detect) EEPROM 内容决定。设置为 Enabled 将根据 SPD 自动设置其中的项目,如果你把
其选项选择未为 Disabled,则会出现以下项目: SDRAM CAS# Latency, DRAM RAS# Precharge, DRAM RAS# to CAS Delay,DRAM precharge Delay 和 DRAM Burst
Length。如果您对芯片组不熟悉请不要修改这些设定。
SDRAM CAS# Latency(SDRAM CAS#延迟)
项控制在 SDRAM 接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为:2, 2.5, 3.0 (clocks)。值越小则性能越强!但是稳定性相对下降!
DRAM RAS# Precharge(Precharge 命令延时)
本项目控制当 SDREM 送出 Precharge 命令后,多少时间内不再送出命令。设定值有:4,3,2(clocks)
RAS to CAS Delay(RAS 至 CAS 的延迟)
当 DRAM 刷新后,所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从 RAS (行地址滤波) 转换到 CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使 DRAM 有更快
的性能表现。设定值有:4,3,2(clocks)
DRAM precharge Delay(脉冲周期)
这个设置是用来控制提供给 SDRAM 参数使用的 SDRAM 时钟周期!设定值有:8,7,6,5,(clocks)
SDRAM Burst Length(SDRAM 爆发存取长度)
此设置允许你设置 DRAM 爆发存取长度的大小。爆发特征是 DRAM 在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性,你必须要定义爆发长度,
也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值: 4,8(clocks)。
AGP Aperture Size (AGP 内存分配)
此项用来控制有多少系统内存可分配给 AGP 卡显示使用。孔径是用于图形内存地址空间一部分 PCI 内存地址范围。进入孔径范围内的主时钟周期会不经过翻译直
接传递给 AGP。设定值为:4MB,8MB,16MB,32MB,64MB,128MB,和 256 MB。
4.OnBoard Devices Configuration(集成设备设定)