英飞凌SPD04P10PLG SIPMOS功率晶体管规格

英飞凌(SPD04P10PLG)是一款高性能的P沟道增强模式肖特基场效应晶体管(SIPMOS)，适用于电子设备中的开关和电源管理应用。这款电子元器件芯片的主要特点包括： 1. **类型与功能**： - SPD04P10PLG是P-Channel类型的器件，这意味着它是反向导通的，适用于驱动负载，如在放大电路或逻辑电路中提供漏极电流。 - 采用增强模式，这意味着它的栅极电压可以有效控制漏极电流，从而实现精确的电流控制。 - 肖特基结构使它具有较低的开启电压，适合低功耗和高频应用。 - 配备了 avalanche 机制，能在高电压冲击下维持稳定工作，增强了对过电压的防护能力。 2. **电气参数**： - 连续漏极电流（ID）在25°C时可达57A，在100°C时为55A。 - Pulsed drain current (ID,pulse)允许在短时间内承受更高的电流峰值。 - 单脉冲雪崩能量（EAS）在ID=-4.2A、RGS=25Ω条件下为0.168mJ，确保了器件的可靠性。 - 最大栅极源电压（VGS）为100V，确保了安全的工作范围。 - RDS(on)的最大值为850mΩ，表示在漏极电压为-100V时的导通电阻。 - ESD等级为JESD22-A114-HBM，表明它满足电磁兼容性标准，能抵御静电放电。 3. **温度性能**： - 工作温度范围宽，从-55°C到175°C，存储温度为-4.2°C至38°C。 - 通过了热阻测试，junction-soldering point 的热阻典型值为3.9K/W，有利于散热设计。 4. **封装与包装**： - SPD04P10PLG采用PG-TO252-3封装，便于小型化和散热。 - 标记为04P10PL，符合RoHS环保要求，且包含无铅选项。 - 非干燥封装，适合各种工业级环境。 - 可在卷带式包装中提供，每卷1000个器件，符合AEC-Q101质量标准。 5. **生产与认证**： - 最新版本为Rev1.6，发布日期为2012年9月10日。 - 符合IEC气候类别，满足DIN IE68-1标准，表明其适应各种环境条件。 - 产品通过了tape and reel工艺，便于自动化生产线集成。 SPD04P10PLG是一款性能优越、具有低导通电阻和良好热管理能力的英飞凌P沟道增强型肖特基场效应晶体管，广泛应用于需要高效率和可靠性的电子设备中，尤其适合那些对散热和耐压有较高要求的应用场合。