英飞凌IRF3808S HEXFET PowerMOSFET中文规格书

"IRF3808S是一款由英飞凌科技公司生产的HEXFET PowerMOSFET芯片，提供了中文版规格书手册。这款先进的平面条纹结构的HEXFET功率MOSFET利用最新的制造技术实现了极低的导通电阻，适合在各种应用中实现高效和可靠的性能。其特性包括175°C的结温操作、低热阻RθJC、快速开关速度以及增强的重复雪崩耐受能力。" IRF3808S芯片的关键参数和特点： 1. **连续漏电流（ID）**：在25°C时的最大连续漏电流为106A，而在100°C时则为75A。这表示该器件能够在较高的温度下维持稳定的电流传输。 2. **脉冲漏电流（IDM）**：最大脉冲漏电流为550A，适合处理瞬时大电流需求。 3. **功率耗散（PD）**：在25°C时的最大功率耗散为200W，并且随着温度的升高线性递减，线性降额因子为1.3 W/°C。 4. **门源电压（VGS）**：门极到源极的最大电压为±20V，确保了宽范围的驱动控制。 5. **单脉冲雪崩能量（EAS）**：最大单脉冲雪崩能量为430mJ，表明芯片在过载情况下具有良好的稳定性。 6. **雪崩电流（IAR）**：最大雪崩电流为82A，显示了芯片在雪崩条件下的耐受力。 7. **重复雪崩能量（EAR）**：具体数值需参考图12a, 12b, 15, 16，这意味着芯片在连续雪崩条件下也能保持安全运行。 8. **峰值二极管恢复dv/dt**：5.5 V/ns，指定了开关过程中电压变化率的上限，确保了快速而无损的开关行为。 9. **工作和存储温度范围**：操作结温和存储温度范围分别为-55至+175°C，以及在10秒内300°C的焊锡温度（距离芯片外壳1.6mm处）。 这些参数和特性使得IRF3808S适用于需要高效率、强稳定性和高温工作的电源管理、电机驱动、开关电源、逆变器和其他电力电子应用。其低RθJC（结到壳热阻）确保了良好的散热性能，而高速开关性能则有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，芯片的耐雪崩能力增强了其在可能出现过电压情况下的可靠性。