PSMN034-100BS-VB：高性能N沟道TrenchFET MOSFET

"PSMN034-100BS-VB是一款N沟道TO263封装的MOS场效应晶体管，适用于各种电源管理、开关应用等场合。" 这款MOSFET的主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET设计，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出细小的沟槽来形成沟道，从而实现了更高的密度和更低的电阻，降低了导通损耗。 2. **高结温**：该器件允许的最大工作结温为175°C，这使其能够在高温环境下稳定工作，增强了其在恶劣条件下的可靠性。 3. **低热阻封装**：TO263封装提供了低热阻（RthJC=1.4°C/W），这意味着当MOSFET工作时，产生的热量能够更有效地从芯片传递到外壳，进一步提高了整体系统的热效率。 产品摘要提供了关键性能参数： - **阈值电压VGS**：当栅极电压VGS分别为10V和4.5V时，漏源导通电阻rDS(on)分别为0.030Ω和0.0Ω。较低的rDS(on)意味着在导通状态下的内阻更低，能提供更低的功率损耗。 - **持续漏源电流ID**：在25°C时，连续漏源电流ID可达到45A；在125°C时，该值降至30A。这是指MOSFET在正常工作条件下可以连续处理的最大电流。 - **脉冲漏源电流IDM**和**雪崩电流IAR**：MOSFET能够承受的脉冲电流为35A，而安全操作区(SOA)曲线用于指导电压降额。同时，它能承受的重复雪崩能量为61mJ，确保了在过电流条件下的稳定性。 - **最大功率耗散PD**：在25°C时，最大功率耗散为127W，而在环境温度为25°C时，最大功率耗散限制为3.75W，这需要根据实际应用的散热条件进行考虑。 - **工作和存储温度范围**：MOSFET可在-55°C至175°C的范围内工作和储存，具有宽泛的温度适应性。 此外，该器件的**热特性**包括： - **结到环境的热阻RthJA**：40°C/W表示每增加一瓦的功率，器件温度将上升40°C，这影响了器件的散热设计。 该产品符合RoHS标准，可在www.VBsemi.com找到更多详细信息。TO263封装的D2PAK（T形）设计有助于提高热性能，适合于需要高效散热的应用场景。 总结起来，PSMN034-100BS-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，其低rDS(on)、高结温和低热阻封装等特点使其成为电源管理、开关电路、驱动器等领域的理想选择。设计工程师应考虑其电流处理能力、散热需求以及工作温度范围，以确保在实际应用中的有效和可靠操作。