微芯片技术：高电压编程模式在Android App安全加固中的应用

"高电压编程进入模式-android app应用安全加固详细步骤" 本文主要涉及的是微控制器(MCU)的高电压编程进入模式，特别是针对PIC12F/LF1822和PIC16F/LF1823系列的8/14引脚闪存单片机，这些芯片采用了nanoWatt XLP技术。在进行编程或烧录固件时，需要将设备置于高电压编程进入模式。这个过程涉及到特定的引脚操作和电压控制。 在进入高电压编程模式时，关键步骤是将ICSPCLK和ICSPDAT引脚保持为低电平，然后通过提高MCLR/VPP引脚上的电压至VIHH（高电压工作电压）。这通常是由编程器来完成的，但需要注意的是，某些编程器可能会产生超过器件规格的最大VPP电压（例如，MPLAB ICD 2可能会产生超过9.0V的VPP），这可能导致器件损坏。因此，为了保护器件，必须使用一个外部电路来限制VPP电压。 图28-1展示了一个VPP限制器的示例电路，它使用了LM431BCMX运算放大器来控制VPP电压。在这个电路中，电阻R1、R2和R3组成分压网络，确保VPP不超过所需的VIHH电压。R1和R2的值分别为270欧姆和10k欧姆，R3为24k欧姆1%的精密电阻，这个配置可以适应不同的VPP和VIHH需求。 在实际操作中，必须确保正确连接编程器（如MPLAB ICD 2）到目标板，遵循图中的RJ11-6PIN接口连接。同时，由于英文原文档中强调了不要忽视英文部分，因此在进行微控制器编程时，查阅Microchip Technology Inc.的英文原版文档至关重要，因为这些文档通常包含最新的技术信息和详细的操作指南。 在安全加固Android应用程序方面，虽然文章没有直接讨论这个主题，但理解MCU的高电压编程模式对于开发安全的嵌入式系统是基础。在移动应用中，安全加固可能包括代码混淆、签名验证、数据加密、运行时权限管理等多种措施，目的是防止恶意攻击和逆向工程。在将这些应用程序与硬件（如采用PIC系列MCU的设备）结合时，理解底层硬件的编程和保护机制是确保整体系统安全的关键。