英飞凌IMBG120R140M1H CoolSiC™ SiC MOSFET技术规格

"IMBG120R140M1H INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册提供了关于英飞凌科技的CoolSiC™1200V SiC Trench MOSFET的详细信息，该芯片采用.XT互连技术，适用于驱动、基础设施充电、能源生成和工业电源供应等领域。" 英飞凌的IMBG120R140M1H是一款高性能的碳化硅（SiC）沟槽MOSFET，设计用于1200伏特的工作电压环境。这款芯片的主要特点包括： 1. 极低的开关损耗：IMBG120R140M1H在开关操作中表现出极低的能量损失，这有助于提高系统的整体效率，尤其是在高频应用中。 2. 短路承受时间：该芯片能够承受3微秒的短路情况，这为系统提供了额外的保护，增强了其在异常条件下的稳定性。 3. 可控的dv/dt：用户可以精确控制栅极电压变化率（dv/dt），以优化开关性能并防止意外开启或关闭。 4. 标准门阈电压：该MOSFET的门阈电压（VGS(th)）为4.5伏，提供了稳定的开关特性，有利于系统设计的简化。 5. 防止寄生导通：芯片能够抵抗寄生导通的影响，即使在0伏的关断门电压下也能保持关闭状态，提高了系统的可靠性。 6. 强大的体二极管：内置的体二极管设计用于硬换流，能够在没有外部二极管的情况下安全地处理反向电流。 7. .XT互连技术：采用这种先进的技术，芯片能提供同类最佳的热性能，有助于减少冷却需求和提高功率密度。 8. 包装间距：封装的爬电距离和间隙超过6.1毫米，满足了高压应用的安全标准。 9. 感应引脚：具备感测引脚，可以优化开关性能，确保更精确的电流检测和控制。 10. 应用领域广泛：IMBG120R140M1H适用于各种应用，包括电动机驱动、基础设施充电设备、太阳能逆变器和优化器，以及工业不间断电源系统。 11. 工业级验证：该产品已经过JEDEC 47/20/22的相关测试，证明其符合工业应用的要求，确保了高质量和可靠性。 注意：源引脚和感测引脚的设计可能对系统的整体性能有直接影响，因此在实际应用中需要仔细考虑它们的配置。 IMBG120R140M1H是一款专为高效率、高频率和高功率密度应用设计的先进半导体器件，其独特的特性和技术优势使得它成为电力电子系统设计的理想选择。