TI TPIC6B596：低导通电阻功率DMOS移位寄存器
需积分: 9 119 浏览量
更新于2024-06-29
5
收藏 1.17MB PDF 举报
"TI-TPIC6B596.pdf 是一款由TI公司推出的集成电路，主要是一款8位低阻抗（LowrDS(on) 5Ω）的高压、中电流功率级移位寄存器，适用于需要较大负载能力的系统。这款芯片集成了电压钳位功能，可保护输出端在感性负载瞬变时不受损害。"
TI的TPIC6B596设计用于高电压、中电流的场合，其主要特性包括：
1. **低导通电阻**：5Ω的低导通电阻（rDS(on)）意味着在开关操作时，器件可以高效地驱动负载，减少了功率损失和发热。
2. **雪崩能量**：具备30mJ的雪崩能量能力，这使得该器件在过载条件下仍能保持稳定，增加了应用的鲁棒性。
3. **八路功率DMOS晶体管输出**：每个输出可连续提供150mA的电流，适合驱动如继电器、电磁铁等中电流或高压负载。
4. **典型电流限制能力**：具有500mA的典型电流限制能力，防止过大的负载电流损坏器件。
5. **输出钳位电压**：输出端口的电压钳位在50V，确保在高电压瞬态下，输出不会超出安全范围。
6. **增强级联功能**：优化了多级级联，使得多个此类芯片可以串联使用，扩展输出通道或增强电流驱动能力。
7. **单输入清除所有寄存器**：通过单一输入信号即可清空所有寄存器，简化了系统的配置和复位操作。
8. **低功耗**：设计上考虑了低功耗，适用于对电源效率有要求的应用场景。
工作原理上，TPIC6B596包含一个串行输入、并行输出的8位移位寄存器和一个8位D型存储寄存器。数据在移位寄存器时钟（SRCK）的上升沿传输，存储寄存器在寄存器时钟（RCK）的上升沿接收数据。当移位寄存器完成数据传输后，存储寄存器会将数据传送到输出缓冲区，从而驱动外部负载。
这种器件广泛应用于需要控制和驱动中等电流负载的系统，如自动化设备、工业控制系统以及任何需要高效、安全驱动电源的电路。其内置的保护机制和优化的电气特性使其在面对可能的电压尖峰和电流冲击时更具优势。
SLIS095A − MARCH 2000 − REVISED MAY 2005
4
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265
recommended operating conditions
MIN MAX UNIT
Logic supply voltage, V
CC
4.5 5.5 V
High-level input voltage, V
IH
0.85 V
CC
V
Low-level input voltage, V
IL
0.15 V
CC
V
Pulsed drain output current, T
C
= 25°C, V
CC
= 5 V (see Notes 3 and 5) −500 500 mA
Setup time, SER IN high before SRCK↑, t
su
(see Figure 2) 15 ns
Hold time, SER IN high after SRCK↑, t
h
(see Figure 2) 15 ns
Pulse duration, t
w
(see Figure 2) 40 ns
Operating case temperature, T
C
−40 125 °C
NOTES: 3. Pulse duration ≤ 100 µs and duty cycle ≤ 2%.
5. Technique should limit T
J
− T
C
to 10°C maximum.
electrical characteristics, V
CC
= 5 V, T
C
= 25°C (unless otherwise noted)
PARAMETER TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT
V
(BR)DSX
Drain-to-source breakdown voltage I
D
= 1 mA 50 V
V
SD
Source-to-drain diode forward
voltage
I
F
= 100 mA 0.85 1 V
V
OH
High-level output voltage,
I
OH
= −20 µA, V
CC
= 4.5 V 4.4 4.49
V
V
OH
High-level output voltage,
SER OUT
I
OH
= −4 mA, V
CC
= 4.5 V
4 4.2
V
V
OL
Low-level output voltage,
I
OL
= 20 µA, V
CC
= 4.5 V 0.005 0.1
V
V
OL
Low-level output voltage,
SER OUT
I
OL
= 4 mA, V
CC
= 4.5 V
0.3 0.5
V
I
IH
High-level input current V
CC
= 5.5 V, V
I
= V
CC
1 µA
I
IL
Low-level input current V
CC
= 5.5 V, V
I
= 0 −1 µA
I
CC
Logic supply current
V
CC
= 5.5 V
All outputs off 20 100
A
I
CC
Logic supply current V
CC
= 5.5 V
All outputs on 150 300
µA
I
CC(FRQ)
Logic supply current at frequency
f
SRCK
= 5 MHz, C
L
= 30 pF,
All outputs off, See Figures 2 and 6
0.4 5 mA
I
N
Nominal current
V
DS(on)
= 0.5 V,
I
N
= I
D
,T
C
= 85°C
See Notes 5, 6, and 7 90 mA
I
DSX
Off-state drain current
V
DS
= 40 V, V
CC
= 5.5 V 0.1 5
A
I
DSX
Off-state drain current
V
DS
= 40 V, V
CC
= 5.5 V, T
C
= 125°C
0.15 8
µA
I
D
= 100 mA, V
CC
= 4.5 V 4.2 5.7
r
DS(on)
Static drain-source on-state
resistance
I
D
= 100 mA, T
C
= 125°C,
V
CC
= 4.5 V
See Notes 5 and 6
and Figures 7 and 8
6.8 9.5
Ω
resistance
I
D
= 350 mA, V
CC
= 4.5 V
and Figures 7 and 8
5.5 8
NOTES: 5. Technique should limit T
J
− T
C
to 10°C maximum.
6. These parameters are measured with voltage-sensing contacts separate from the current-carrying contacts.
7. Nominal current is defined for a consistent comparison between devices from different sources. It is the current that produces a
voltage drop of 0.5 V at T
C
= 85°C.
剩余18页未读，继续阅读
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
2022-11-14 上传
2022-11-14 上传
2022-11-14 上传
2022-11-14 上传
2022-11-14 上传
2022-11-27 上传
不觉明了
- 粉丝: 7423
- 资源: 5764
我的内容管理
展开
最新资源
- 实战部署UC平台（OCS=VOIP GW=Exchange2007）.pdf
- thinking in java
- 嵌入式Linux Framebuffer 驱动开发.pdf
- grails入门指南
- Apress.Pro.OGRE.3D.Programming.pdf
- Linux设备驱动开发详解讲座.pdf
- GoF+23种设计模式
- Wrox.Python.Create.Modify.Reuse.Jul.2008
- sd卡spi模式翻译资料
- 最新计算机考研专业课程大纲
- oracleproc编程
- Google-Guice-Agile-Lightweight-Dependency-Injection-Framework-Firstpress
- oracle工具TOAD快速入门
- Unix 操作命令大全
- ARM映象文件及执行机理
- rhce教材RH033 - Red Hat Linux Essentials
