上海地铁1号线ATS仿真系统：存储器编程关键参数详解

本资源主要介绍了针对上海地铁1号线ATS仿真系统的存储器编程要求，特别是针对Microchip PIC16(L)F1946/1947单片机的数据手册。该单片机是一款带有LCD驱动器且采用nanoWatt XLP技术的64引脚8位CMOS闪存单片机，适用于低功耗和高性能应用。 存储器编程的关键参数包括： 1. **程序存储器编程规范**： - VIHH/MCLR/VPP引脚的电压需在8.0-9.0V范围内，这对于确保正确执行程序存储器的操作至关重要。 - 编程期间的供电电流IDDP最大为10mA。 - VPBE用于批量擦除操作，VDD范围为2.7-VDDMAX。 - VPEW用于写操作或行擦除，VDD范围从VDDMIN到VDDMAX。 - 在擦写期间，MCLR/VPP上的电流IPPPGM最大为1.0mA，VDD上的电流IDDPGM至少为5.0mA。 2. **数据EEPROM存储器**： - 数据的字节耐用性（ED）在-40°C至+85°C下可达到100K次E/W（读/写）操作。 - VDRW用于读/写操作的电源电压范围。 - 擦写周期TDEW为4.0-5.0ms，保持特性的时间TRETD长达40年。 - 数据EEPROM的更多信息可在第11.2节“使用数据EEPROM”中找到。 3. **闪存程序存储器**： - 电池耐用性EP在-40°C至+85°C条件下为10K次E/W。 - VPRW用于读/写操作的电源电压范围与EEPROM相同。 - 自定时写周期TIW为2-2.5ms。 - 特性保持时间TRETD同样有40年的保证，但需满足其他规范。 4. **注意事项**： - 对于单电源编程，MCLR/VPP引脚的处理需要特别关注，MPLAB ICD 2不支持变化的VPP输出，需通过外部电路来控制。 - 文档中的所有数据和信息都是设计参考，实际使用时需进行测试。 - 用户应自行确保应用符合技术规范，并理解Microchip Technology Inc.对信息提供的免责声明，特别强调在涉及生命维持和安全应用时，用户需自行承担全部风险。 这份文档提供了详细的操作指南，帮助开发人员正确地对Microchip PIC16(L)F1946/1947单片机的存储器进行编程，确保硬件设备在不同工作条件下的可靠性和稳定性。同时，用户也需要注意版权和商标信息，尊重Microchip知识产权。