"模拟电子技术基础第三版(华成英主编)课后答案"
这篇资源主要涵盖了模拟电子技术的基础知识，特别是关于半导体器件的部分。以下是基于提供的内容所解析出的知识点：
1. 半导体器件类型与改型：
- N型半导体：含有较多的自由电子作为多数载流子，如果掺入三价元素（如硼），可以减少自由电子，增加空穴，从而转变为P型半导体。
2. 半导体性质：
- N型半导体并不整体带负电，而是由于多子（自由电子）比少子（空穴）多而呈现负电势差，但半导体整体是电中性的。
3. PN结：
- PN结在没有光照和外加电压时，结电流几乎为零，这是因为PN结的内建电场阻止了扩散运动。
4. 晶体管的工作状态：
- 放大状态的晶体管中，集电极电流是由基极控制的发射极电流的放大，而非多子漂移运动直接形成。
5. 场效应管：
- 结型场效应管（JFET）的栅-源电压应使得栅-源间的耗尽层承受反向电压，以保持高输入电阻，实现良好的放大效果。
- 耗尽型N沟道MOS管，当UGS大于零，输入电阻通常会增大，而不是减小。
6. 二极管与稳压管：
- PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，允许电流通过。
- 二极管的电流方程是基于Shockley二极管方程，即I = I_S * (e^(V_D/V_T) - 1)，其中I是二极管电流，I_S是饱和电流，V_D是二极管两端电压，V_T是热电压。
- 稳压管工作在反向击穿区，此时其两端电压基本保持恒定，以提供稳定的参考电压。
7. 晶体管工作区域：
- 当晶体管工作在放大区时，发射结通常正偏，集电结反偏。
8. 场效应管的类型与工作模式：
- UGS=0V时，结型场效应管和耗尽型MOS管能工作在恒流区，而增强型MOS管需要栅-源电压来形成导电沟道。
9. 电路分析：
- 图T1.3所示电路中的输出电压值可以通过二极管的导通电压UD（0.7V）和电路配置计算得出。
- 图T1.4中，稳压管的稳压值UZ（6V）用于确定电路稳定电压，结合电路结构可计算UO1和UO2的值。
10. 晶体管的过损耗区：
- 过损耗区是指晶体管集电极电流超过其最大安全工作区，可能导致器件损坏。例如，当UCE=40V，IC=5mA；UCE=30V，IC≈6.67mA；UCE=20V，IC=10mA，这些点在特性曲线上构成了过损耗区。
这些知识点是模拟电子技术基础的重要组成部分，对于理解和应用半导体器件、二极管、晶体管、场效应管以及电路分析至关重要。学习这些内容有助于深入理解电子设备的工作原理，并能进行简单的电路设计和故障排查。
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