AP4435GM-VB: 30V P沟道SOP8封装高性能MOSFET
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更新于2024-08-03
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AP4435GM-VB是一种高性能的P沟道SOP8封装金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由TrenchFET®技术制成,注重环保,符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。这款MOSFET的特点包括:
1. 特性:
- 低栅极源极电压(VGS)范围:工作在±20V,确保了宽广的电压操作区间。
- 高持续漏极电流(ID):在标准条件下(TJ=150°C,TC=25°C),最大电流可达-9.0A,随着温度变化,电流会有所调整。
- 耐高温能力:即使在较高温度下,如70°C,仍能保持良好的性能,例如-7.2A连续漏极电流。
2. 脉冲漏极电流(IDM):能够承受-30V的断态重复峰值电流,适合在开关应用中提供高效率的负载切换或电池开关功能。
3. 保护特性:
- 持续源极漏极二极管电流(IS):在标准条件下为-3.5A,同样受温度影响。
- 功率消耗限制:在不同温度下,最大功率损耗设定为4.2W(TC=25°C)和2.7W(TC=70°C)。
4. 温度兼容性:
- 操作和存储温度范围:-55°C至150°C,满足广泛的应用环境需求。
- 热阻指标:典型和最大值分别为RthJA=40°C/W(10秒内)和RthJA=50°C/W,以及热阻脚-基板(Junction-to-Foot)。
5. 封装和表面安装:
- SOP8封装,便于集成到小型电路板上,如1"x1" FR4板,表面贴装设计。
6. 测试与可靠性:
- 100%的Rg(输入电导)测试,确保了高质量和一致性。
这款AP4435GM-VB MOSFET适用于对低导通电阻、高效能和高可靠性的电子设备设计,特别适合在需要快速切换和低功耗的场合使用。在选择和使用时,请注意其极限参数和温度条件下的性能。
2023-12-20 上传
2023-12-15 上传
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2024-01-08 上传
2024-04-10 上传
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