AP4435GM-VB: 30V P沟道SOP8封装高性能MOSFET

0 下载量 99 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 595KB PDF 举报
AP4435GM-VB是一种高性能的P沟道SOP8封装金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),由TrenchFET®技术制成,注重环保,符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。这款MOSFET的特点包括: 1. 特性: - 低栅极源极电压(VGS)范围:工作在±20V,确保了宽广的电压操作区间。 - 高持续漏极电流(ID):在标准条件下(TJ=150°C,TC=25°C),最大电流可达-9.0A,随着温度变化,电流会有所调整。 - 耐高温能力:即使在较高温度下,如70°C,仍能保持良好的性能,例如-7.2A连续漏极电流。 2. 脉冲漏极电流(IDM):能够承受-30V的断态重复峰值电流,适合在开关应用中提供高效率的负载切换或电池开关功能。 3. 保护特性: - 持续源极漏极二极管电流(IS):在标准条件下为-3.5A,同样受温度影响。 - 功率消耗限制:在不同温度下,最大功率损耗设定为4.2W(TC=25°C)和2.7W(TC=70°C)。 4. 温度兼容性: - 操作和存储温度范围:-55°C至150°C,满足广泛的应用环境需求。 - 热阻指标:典型和最大值分别为RthJA=40°C/W(10秒内)和RthJA=50°C/W,以及热阻脚-基板(Junction-to-Foot)。 5. 封装和表面安装: - SOP8封装,便于集成到小型电路板上,如1"x1" FR4板,表面贴装设计。 6. 测试与可靠性: - 100%的Rg(输入电导)测试,确保了高质量和一致性。 这款AP4435GM-VB MOSFET适用于对低导通电阻、高效能和高可靠性的电子设备设计,特别适合在需要快速切换和低功耗的场合使用。在选择和使用时,请注意其极限参数和温度条件下的性能。