AOD464-VB N沟道100V 40A MOSFET: TO252封装特性与应用解析

本文档主要介绍了AOD464-VB型号的N沟道MOSFET，该器件由VB公司生产，采用TrenchFET®技术，具有高性能和可靠性。这款MOSFET的特点包括： 1. **特性：** - **N沟道：**适用于开关电源、电机驱动等应用中的负载开关。 - **电压等级：**耐压高达100V，确保了在高电压环境下工作的稳定性。 - **电流能力：**最大连续导通电流ID为40A，这意味着它能够在低至4.5V的栅极电压下提供31mΩ的RDS(on)，而在10V栅极电压下更低至30mΩ，显示出良好的开关性能。 - **阈值电压：**Vth为1.8V，这对于控制导通与关断非常关键。 - **热设计：**175°C的结温处理能力，以及低热阻包装设计，有助于散热管理。 2. **产品概要：** - **安全限制：**注意 duty cycle限制（1%）以及需参考SOA曲线了解降额电压情况。当安装在1"平方FR-4材料的PCB上时，铅含量可能不满足RoHS标准，但可能有例外。 - **绝对最大规格：**包括VDS（100V）、VGS（±20V），以及在不同温度条件下的电流限制。 3. **热性能：** - **热阻抗：**RthJA（结-环境）为40°C/W，表明器件能有效地将热量传递到周围环境，而RthJC（结-管壳）为1.4°C/W，强调了内部热量管理。 - **功率耗散：**在25°C时，最大功率耗散PD为107W，而在操作温度范围内（-55°C to 175°C），热储存温度Tstg也得到了考虑。 4. **封装与合规性：** - **封装类型：**TO252封装，适用于各种小型化电路板设计。 - **RoHS合规性：**尽管可能存在铅含量问题，但需确认是否符合RoHS标准。 AOD464-VB是一款高性能、耐高温的N沟道MOSFET，特别适合那些需要高效率、低导通电阻和良好热管理的电力电子应用。设计者在选择和使用此器件时，应充分考虑其规格限制、热性能以及环境合规性。