F28335 学习之FLASH 搬移到RAM 运行实现方法 - CSDN文库

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F28335 学习之学习之FLASH 搬移到搬移到RAM 运行实现方法运行实现方法

在DSP28335中，我们一般先下载到RAM中运行调试，调试完之后下载到flash中，然后flash启动，但是要将

flash的内容搬到ram中运行的话，速度会快很多，本人在研一的时候就遇到过这样的问题，很容易在论坛看到了

这样的方法，下面分享给大家

使用过TI DSP 或正在使用的人都知道，DSP 程序可以放在RAM 里面运行，也可以放在FLASH 里面运行。两者有一定的区

别：

（1）前者程序运行时，连接着仿真器，后者脱离仿真器;

（2）前者断电程序丢失，后者不会;

（3）前者程序运行速度快，后者慢;

（4）二者空间大小可能不一样（取决于芯片型号）;

（5）前者没有烧写次数的限制，而后者有;

所以在RAM 里面运行适合项目的初期调试，方便快捷，当最终程序全部调试完后，做成产品销售时，将程序烧写到FLASH 里

面（特殊场合，比如在做高压的实验时，可以考虑将程序烧写到FLASH 里面调试）。

在上面5 点当中，第3 点我加了强调，在一个实际的项目里面，程序的运行速度是很受关注的，我曾对F28335在FLASH 里运

行程序和在RAM 里面运行程序做过对比，相同的代码在FLASH 和RAM 里面运行时间如下表：

表1 FLASH 和RAM 里程序运行区别表

一段程序代码运行时间RAM 里运行 5usFLASH 里运行 25us

从上表可以看出，RAM 里面运行程序比FLASH 里面运行程序快近5 倍（只对F28335，其它芯片不一定适用），所以寻找一

种可以提高程序在FLASH 里运行速度的方法，对提高程序总体性能很有帮助。

通过很多前辈们的努力，终于寻找到一种方法：将程序烧写到FLASH 里面，上电时将程序搬移到RAM 里面运行。这即满足了

掉电程序不丢失，又满足了程序运行速度高的要求，可谓一箭双雕。

本人在遇到这个问题以后，对这种方法很感兴趣，想尝试一下，找了很多资料（包括理论和实践），摸索了一天一点头绪都没

有，用TI FLASH 例程也能够烧进去，但程序执行不对。开始有点灰心了，但又不死心。继续研究了一天，发现TI 给的例程和

网上一些热心网友们给的例程都是将指定的代码搬移到FLASH 里面，可以通过：

#pragma CODE_SECTION(函数名, "存储器入口地址");语句完成，感觉很简单，但就是调试不出来。最后，突然想起来，可

不可以不这样做，找一个能够将所有程序均搬移到RAM 里面的方法。

……

中间省略号就是本人奋斗的过程，开始之前就讲了，写这些文字是将一种方法分享给大家，至于研究奋斗的过程就不详细描

述，不然恐怕说几十页纸都讲不清楚。接下来就一步步教大家如何建立一个能够将FLASH 里面程序上电时搬移到RAM 里面运

行的工程。

1、建立一个工程;（怎么建立省略）

2、将工程里面源文件（source）的“DSP2833x_SysCtrl.c”、

“DSP2833x_usDelay.asm”和“DSP2833x_CodeStartBranch.asm”文件（如果用的是TI 提供的文件就是这四个文件）分别替换

成“ DSP28xxx_SysCtrl.c ”、“ DSP28xxx_usDelay.asm” 和“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm” 。

另外，在将“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”文件添加到工程里面;

备注： “ DSP28xxx_SysCtrl.c ” 、“ DSP28xxx_usDelay.asm ” 、

“DSP28xxx_CodeStartBranch.asm”和“DSP28xxx_SectionCopy_nonBIOS.asm”

我已经放在附件里面上传了。

3、添加CMD：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”。

如果工程里面已经有了CMD，要换成这2 个。

备注：“DSP2833x_Headers_nonBIOS.cmd”和“F2833x_nonBIOS_flash.cmd”也

已经放在附件里。

4、编译烧写。

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