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1.电路基础知识
1.1 Vss, VDD, VEE, Vcc 的区别
说法一:
VCC、VDD、VEE、VSS 是指芯片、分解电路的电源集结点,具体接电源的极性需视器件材料
而定。 VCC 一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管 C 极,VEE 是指连接到集成或
分解电路内部三极管的 E 极。 同样,VDD、VSS 就是指连接到集成内部、分解电路的场效应
管的 D 和 S 极。 例如是采用 P 沟 E/DMOS 工艺制成的集成,那么它的 VDD 就应接电源的负,
而 VSS 应接正电源。
它们是这样得名的:
VCC 表示连接到三极管集电极(C)的电源。
VEE 表示连接到三极管发射极(E)的电源。
VDD 表示连接到场效应管的漏极(D)的电源。
VSS 表示连接到场效应管的源极(S)的电源。
通常 VCC 和 VDD 为电源正,而 VEE 和 VSS 为电源负或者地。
说法二:
VDD,VCC,VSS,VEE,VPP 区别
VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000 系列数字电 路);漏极电压(场效应管)
VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74 系列数字电路);声控载波(Voice Controlled
Carrier)
VSS:地或电源负极
VEE:负电压供电;场效应管的源极(S)
VPP:编程/擦除电压。
详解:
在电子电路中,VCC 是电路的供电电压, VDD 是芯片的工作电压:
VCC:C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压, D=device 表示器件的意思, 即器件
内部的工作电压,在普通的电子电路中,一般 Vcc>Vdd !
VSS:S=series 表示公共连接的意思,也就是负极。
有些 IC 同时有 VCC 和 VDD, 这种器件带有电压转换功能。
在“场效应”即 COMS 元件中,VDD 乃 CMOS 的漏极引脚,VSS 乃 CMOS 的源极引脚, 这
是元件引脚符号,它没有“VCC”的名称,你的问题包含 3 个符号,VCC / VDD /VSS, 这显
然是电路符号。
1.2 TTL 电平与 CMOS 电平的区别
1,TTL 电平:
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是 3.5V,输出低电平
是 0.2V。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0V,输入低电平<=0.8V,噪声容限是
0.4V。
2,CMOS 电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0 逻辑电平接近于 0V。而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:
因为 TTL 和 COMS 的高低电平的值不一样(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相连接
时需
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
4,OC 门,即集电极开路门电路,OD 门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源
才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
动门电路。
5,TTL 和 COMS 电路比较:
1)TTL 电路是电流控制器件,而 coms 电路是电压控制器件。
2)TTL 电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正
常
现象。
3)COMS 电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增
大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS 的内部电流能达到 40mA 以上,很
容易
烧毁芯片。
防御措施:
1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止 VDD 端出现瞬间的高压。
3)在 VDD 和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启 COMS 电路得
电
源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭 COMS
电路的电源。
6,COMS 电路的使用注意事项
1)COMS 电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所
以
,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
2)输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的
电流限制在 1mA 之内。
3)当接长信号传输线时,在 COMS 电路端接匹配电阻。
4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为 R=V0/1mA.V0
是
外界电容上的电压。
5)COMS 的输入电流超过 1mA,就有可能烧坏 COMS。
7,TTL 门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
1)悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2)在门电路输入端串联 10K 电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低
电
平。因为由 TTL 门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于 910 欧时,
它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电
平。这个一定要注意。COMS 门电路就不用考虑这些了。
8,TTL 电路有集电极开路 OC 门,MOS 管也有和集电极对应的漏极开路的 OD 门,它的
输出就叫
做开漏输出。
OC门在截止时有漏电流输出,那就是漏电流,为什么有漏电流呢?那是因为当三机管
截
止的时候,它的基极电流约等于 0,但是并不是真正的为 0,经过三极管的集电极的电流也
就不是真正的 0,而是约 0。而这个就是漏电流。开漏输出:OC 门的输出就是开漏输出;
OD
门的输出也是开漏输出。它可以吸收很大的电流,但是不能向外输出的电流。所以,为了
能输入和输出电流,它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。OD 门一般作为输出缓冲/
驱
动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。
9,什么叫做图腾柱,它与开漏电路有什么区别?
TTL 集成电路中,输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出,没有的叫做 OC 门。因
为
TTL 就是一个三级关,图腾柱也就是两个三级管推挽相连。所以推挽就是图腾。一般图腾式
输出,高电平 400UA,低电平 8MA
1.3 LSB 的定义
当选择模数转换器(ADC)时,最低有效位(LSB)这一参数的含义是什么?有位工程师
告诉我某某生产商的某款 12 位转换器只有 7 个可用位。也就是说,所谓 12 位的转
换器实际上只有 7 位。他的结论是根据器件的失调误差和增益误差参数得出的,这两
个参数的最大值如下:
失调误差 =±3LSB,
增益误差 =±5LSB,
乍一看,觉得他似乎是对的。从上面列出的参数可知最差的技术参数是增益误差
(±5 LSB)。进行简单的数学运算,12 位减去 5 位分辨率等于 7 位,对吗?果真如此
的话,ADC 生产商为何还要推出这样的器件呢?增益误差参数似乎表明只要购买成
本更低的 8 位转换器就可以了,但看起来这又有点不对劲了。正如您所判断的,上面
的说法是错误的。
让我们重新来看一下 LSB 的定义。考虑一个 12 位串行转换器,它会输出由 1 或
0 组成的 12 位数串。通常,转换器首先送出的是最高有效位(MSB)(即 LSB + 11)。
有些转换器也会先送出 LSB。在下面的讨论中,我们假设先送出的是 MSB(如图 1 所
示),然后依次送出 MSB-1 (即 LSB + 10)和 MSB -2(即 LSB + 9)并依次类推。转
换器最终送出 MSB -11(即 LSB)作为位串的末位。
LSB 这一术语有着特定的含义,它表示的是数字流中的最后一位,也表示组成满
量程输入范围的最小单位。对于 12 位转换器来说,LSB 的值相当于模拟信号满量程
输入范围除以 212 或 4,096 的商。如果用真实的数字来表示的话,对于满量程输入
范围为 4.096V 的情况,一个 12 位转换器对应的 LSB 大小为
1mV。但是,将 LSB
定义为 4096 个可能编码中的一个编码对于我们的理解是有好处的。
让我们回到开头的技术指标,并将其转换到满量程输入范围为 4.096V 的 12 位
转换器中:
失调误差 = ±3LSB =±3mV,
增益误差 =±5LSB = ±5mV,
这些技术参数表明转换器转换过程引入的误差最大仅为 8mV(或 8 个编码)。这
绝不是说误差发生在转换器输出位流的 LSB、LSB-1、LSB-2、LSB-3、LSB-4、LSB-5、
LSB-6 和 LSB-7 八个位上,而是表示误差最大是一个 LSB 的八倍(或 8mV)。准 确 地
说,转换器的传递函数可能造成在 4,096 个编码中丢失最多 8 个编码。丢失的只可能
是最低端或最高端的编码。例如,误差为+8LSB ((+3LSB 失调误差) + (+5LSB 增益
误差)) 的一个 12 位转换器可能输出的编码范围为 0 至 4,088。丢失的编码为 4088
至 4095。相对于满量程这一误差很小仅为其 0.2%。与此相对,一个误差为
-3LSB((-3LSB 失调误差)(-5LSB 增益误差))的 12 位转换器输出的编码范围为 3 至
4,095。此时增益误差会造成精度下降,但不会使编码丢失。丢失的编码为 0、1 和 2。
这两个例子给出的都是最坏情况。在实际的转换器中,失调误差和增益误差很少会如
此接近最大值。
1.4 场效应管及三级管型号大全
晶体管型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
IRFU020 50V 15A 42W * *
NMOS 场效
应
IRFPG42 1000V 4A 150W * *
NMOS 场效
应
IRFPF40 900V 4.7A 150W * *
NMOS 场效
应
IRFP9240 200V 12A 150W * *
PMOS 场效
应
IRFP9140 100V 19A 150W * *
PMOS 场效
应
IRFP460 500V 20A 250W * *
NMOS 场效
应
IRFP450 500V 14A 180W * *
NMOS 场效
应
IRFP440 500V 8A 150W * *
NMOS 场效
应
IRFP353 350V 14A 180W * *
NMOS 场效
应
IRFP350 400V 16A 180W * *
NMOS 场效
应
IRFP340 400V 10A 150W * *
NMOS 场效
应
IRFP250 200V 33A 180W * *
NMOS 场效
应
IRFP240 200V 19A 150W * *
NMOS 场效
应
IRFP150 100V 40A 180W * *
NMOS 场效
应
晶体管型号 反压 Vbe0 电流 Icm 功率 Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
IRFP140 100V 30A 150W * *
NMOS 场效
应
IRFP054 60V 65A 180W * *
NMOS 场效
应
IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS 场效
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