半导体工艺流程
N 型硅:掺入 V 族元素--磷 P、砷 As、锑 Sb
P 型硅:掺入 III 族元素—镓 Ga、硼 B
PN 结:
半导体元件制造过程可分为
前段(FrontEnd)制程
晶圆处理制程(WaferFabrication;简称 WaferFab)、
晶圆针测制程(WaferProbe);
後段(BackEnd)
构装(Packaging)、
测试制程(InitialTestandFinalTest)
一、晶圆处理制程
晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻
辑 闸 等 ) , 为 上 述 各 制 程 中 所 需 技 术 最 复 杂 且 资 金 投 入 最 多 的 过 程 , 以 微 处 理 器
(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,
动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室
(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基
本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之後,接著进行氧化(Oxidation)
及沈积,最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。
二、晶圆针测制程
经过 WaferFab 之制程後,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒
(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆上
制 作 不 同 规 格 的 产 品 ; 这 些 晶 圆 必 须 通 过 晶 片 允 收 测 试 , 晶 粒 将 会 一 一 经 过 针 测
(Probe)仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(InkDot),此程
序即称之为晶圆针测制程(WaferProbe)。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的
晶粒
三、IC 构装制程
IC 構裝製程(Packaging):利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路
目的:是為了製造出所生產的電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。
半导体制造工艺分类
半导体制造工艺分类
一双极型 IC 的基本制造工艺:
A 在元器件间要做电隔离区(PN 结隔离、全介质隔离及 PN 结介质混合隔离)
ECL(不掺金)(非饱和型)、TTL/DTL(饱和型)、STTL(饱和型)B 在元器件间
自然隔离
I2L(饱和型)
半导体制造工艺分类
二 MOSIC 的基本制造工艺:
根据栅工艺分类
A 铝栅工艺
B 硅栅工艺