“微电子器件”课程复习题
一、填空题
1、若某突变 PN 结的 P 型区的掺杂浓度为，则
室温下该区的平衡多子浓度 p
p0
与平衡少子
浓度 n
p0
分别为（ ）和（ ）。
2、在 PN 结的空间电荷区中，P 区一侧带（ ）电荷，N 区一侧带（ ）电荷。内建电场的方向是从（ ）区指向（ ）
区。
3、当采用耗尽近似时，N 型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜
率越（ ）。
4、PN 结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ ），内建电场的最大值就越（ ），内建电势 V
bi
就越（ ），反
向饱和电流 I
0
就越（ ），势垒电容 C
T
就越（ ），雪崩击穿电压就越（ ）。
5、硅突变结内建电势 V
bi
可表为（ ），在室温下的典型值为（ ）伏特。
6、当对 PN 结外加正向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
7、当对 PN 结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。
8、在 P 型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度
n
p
与 外 加 电 压 V 之 间 的 关 系 可 表 示 为 （
）。若 P 型区的掺杂浓度，外加电压 V = 0.52V，则 P 型区与耗尽区边界上的少子浓度 n
p
为（ ）。
9、当对 PN 结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）；当对 PN 结外加反
向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（ ）。
10、PN 结的正向电流由（ ）电流、（ ）电流和（ ）电流三部分所组成。
11、PN 结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（ ）； PN 结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来
源是（ ）。
12、当对 PN 结外加正向电压时，由 N 区注入 P 区的非平衡电子一边向前扩散，一边（ ）。每经过一个扩散长度的
距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。
13、PN 结扩散电流的表达式为（ ）。这个表达式在正向电压下可简化为（ ），在反向电压下可简化
为（ ）。
14、在 PN 结的正向电流中，当电压较低时，以（ ）电流为主；当电压较高时，以（ ）电流为主。
15、薄基区二极管是指 PN 结的某一个或两个中性区的长度小于（ ）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近
似为（ ）。
16、小注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远小于该区的（ ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（
）多子浓度可以忽略。
17、大注入条件是指注入某区边界附近的（ ）浓度远大于该区的（ ）浓度，因此该区总的多子浓度中的（
）多子浓度可以忽略。
18、势垒电容反映的是 PN 结的（ ）电荷随外加电压的变化率。PN 结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（
）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ ）。
19、扩散电容反映的是 PN 结的（ ）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（ ）；少
子寿命越长，则扩散电容就越（ ）。
20、在 PN 结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的
原因是存储在（ ）区中的（ ）电荷。这个电荷的消失途径有两条，即（ ）和（ ）。
21、从器件本身的角度，提高开关管的开关速度的主要措施是（ ）和（ ）。
22、PN 结的击穿有三种机理，它们分别是（ ）、（ ）和（ ）。
23、PN 结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压就越（ ）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（ ）。
24、雪崩击穿和齐纳击穿的条件分别是（ ）和（ ）。
25、晶体管的基区输运系数是指（ ）电流与（ ）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会
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