短路保护电路基于高压MOS/IGBT模块的设计

带短路保护锁定的驱动的3脚为短路信号检测入端;2脚为驱动地;1脚为驱动输出。当电路存在短路的时候流过MOS的电流很大在S极电阻两端产生的压降导致三极管由截止进入导通(当然导到什么程度具体跟MOS的跨导有关系)，因此驱动电阻上面有压降，MOS进入放大区。这个时候高电压不会通过MOS进行强电流放电，因而芯片不会有局部过热的可能，在很短的时间内保护电路检测到短路存在关闭并锁定驱动电压输出，MOS仅承受了动作时间内的恒流功率损耗，安全性得到了很大提高。此电路仅作为理解原理使用具体参数看实际工况选取。S级的电阻是根据你选定的MOS的IDM(PulsedDrainC