ZYNQ平台NAND驱动调试详解:命令结构与操作要点
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更新于2023-05-21
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NAND驱动学习和调试笔记深入探讨了NAND闪存技术在嵌入式系统中的关键角色。首先,NAND Flash是一种非易失性存储器,与PC机硬盘类似,用于长期存储操作系统、应用、用户数据以及系统运行过程中的临时数据,确保在断电后数据仍能保持。其主要特点包括:
1. **IO接口与复用**:
- 不像NorFlash或DRAM,NAND Flash不直接通过地址总线被CPU访问,而是依赖于专用的IO接口,这要求CPU通过发送命令和地址来间接操作NAND内部数据,体现了端口复用的概念。
2. **操作方式**:
- 读写操作以页为单位,擦除以块为单位。NAND写入操作具有限制性,只能将0变为1,不能逆向修改,因此在写入新数据前需要先执行擦除操作。
- 数据存储需要采用错误校验机制,如BCH纠错编码,以防止数据在存储过程中出现错误。
3. **命令结构与调试示例**:
- 调试过程中,如使用ZYNQ平台且涉及镁光(MICRON)NAND,需要理解并掌握命令格式。举例来说,读取ID命令(startcommand=0x90, address cycle=1, endcommand valid=0)的填充格式为{0x90, 0, 1, 0},而擦除命令(startcommand=0x60, endcommand=0xd0, address cycle=3)的填充格式为{0x60, 0xd0, 3, 1}。在编写代码时,地址参数如0x00在读ID时会被使用。
4. **术语解释**:
- **NAND Flash**:全称为NAND型闪存,一种常见的嵌入式存储设备。
- **Nand1、NandFlash**: 这里可能是指两个不同层次的NAND驱动模块或结构,分别可能代表底层硬件驱动和上层数据处理模块。
理解这些特性有助于在实际项目中正确地配置、操作和调试NAND驱动,确保数据的可靠存储和读取。在开发过程中,熟悉NAND的时序控制、命令流程和错误处理机制是至关重要的。通过实践和深入学习,开发者可以更好地应对NAND驱动的各种挑战,并优化系统的性能和稳定性。
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