TC4426/4427/4428 双高速功率 MOSFET 驱动器

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TC4426A/TC4427A/TC4428A

特性

• 峰值输出电流高：1.5A

• 输入电源电压工作范围宽：

-4.5V至 18V

• 容性负载驱动能力强：25 ns 内 1000 pF （典型

值）

• 延时时间短：30 ns （典型值）

• 输入能够经受住最高 5V 的负输入

• ESD 保护：4kV

• 与 TC426/TC427/TC428 和 TC4426/TC4427/

• 节省空间的 8 引脚 MSOP 和 8 引脚 6x5 DFN 封装

应用

• 开关式电源

• 线路驱动器

• 脉冲变压器驱动

基本说明

（无论极性如何），不会造成器件损坏或逻辑混乱。全部

ESD）保护的，能够承受至多 4kV的静电。

TC4426A/TC4427A/TC4428A MOSFET 驱动器，能够

在 30 ns 之内，轻松地对 1000 pF 的门极电容进行充

电 / 放电。在开、关状态下，器件都具有足够低的阻抗，

确保MOSFET的期望状态不受影响，即便发生大的暂态

也不会影响期望状态。

封装类型

注 1：DFN 封装裸露的焊垫是电气绝缘的。

IN A

IN B

V

8 引脚 MSOP/

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功能框图

300 mV

4.7V

反相

非反相

注 1：TC4426A 有两个反相驱动器，而 TC4427A 有两个非反相驱动器。TC4428A 有一

个反相驱动器和一个非反相驱动器。

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..............................（V

封装功率消耗 （T

DFN .................................................................. 注 2

MSOP.......................................................... 340 mW

PDIP ............................................................ 730 mW

SOIC............................................................ 470 mW

参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件

——0.8V

-40°C ≤ T

-40°C ≤ T

30

33

35

38

—

—

1.0

0.1

2.0

0.2

V

2： 封装功耗与 PCB 上铜层的面积有关。

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规定温度范围 （E） T

规定温度范围 （V） T

最大结温 T

J

储存温度范围 T

热阻， 8 引脚 PDIP θ

热阻， 8 引脚 SOIC θ