"DDR2系统是一种内存技术,用于提高计算机系统的数据传输速率。DDR2(Double Data Rate Second Generation Synchronous Dynamic Random-Access Memory)在设计上优化了DDR内存,提供了更高的带宽和更低的功耗。它采用了源同步时钟信号,确保数据在数据总线上的电气匹配,以实现更精确的数据传输。DDR2内存系统通常包括单通道配置,每个通道可能包含一个或多个内存 ranks,每个rank由一个或多个DDR2 SDRAM芯片组成。这些芯片通过DIMM(双列直插式内存模块)连接到控制器,并共享相同的拓扑结构,如同DDR和SDRAM一样。"
DDR2 SDRAM 芯片的基本特性包括:
1. 工作频率:DDR2内存支持200MHz(400Mbps),266MHz(533Mbps)和333MHz(667Mbps)的时钟速度,对应的fck分别为400MT/s, 533MT/s 和667MT/s。
2. 数据宽度:芯片有x4和x8两种数据宽度,即每次传输4位或8位数据。
3. 封装形式:60球FBGA封装用于x4芯片,84球FBGA封装用于x8芯片。
4. 电源电压:标准工作电压为1.8V,可选2.5V。
5. 信号标准:采用SSTL_18信号标准,信号范围在0.5*Vddq+/-0.1V之间。
6. 内部结构:具有四个内部银行(对于1Gbit以上的芯片,会有8个内部银行),允许并发访问,减少延迟。
7. 读写延迟:CAS(Column Address Strobe)读取延迟可以是3、4或5个时钟周期,写入延迟(WL)是CAS延迟减1。
8. 功能特性:支持可编程突发长度(BL4, BL8),具有预取功能,以及可选的附加延迟(AL0-AL5)。
9. 差分数据 strobe:使用差分数据 strobe信号,提高信号完整性。
10. 特性:支持片上终结(On-Die Termination, ODT)和可编程I/O驱动强度,以优化信号质量。
DDR2系统的优势在于其双倍数据速率特性,即在时钟的上升沿和下降沿均传输数据,相比DDR提高了带宽而无需增加工作频率。此外,降低的工作电压减少了功耗,适合于高性能且节能的系统应用。DDR2的拓扑结构和电气匹配特性使得系统能有效地处理高速数据传输,同时保持信号的稳定性和准确性。总体来说,DDR2内存技术是现代计算机系统中内存架构的一个重要进步,为高数据处理需求提供了必要的性能支撑。