三星K9F2G08U0A NAND Flash存储器数据手册

"K9F2G08U0A 数据手册，这是一份关于256Mx8Bit NAND Flash存储器的技术文档，由三星电子发布。文档包含了产品的规格、历史版本信息以及修订记录。" K9F2G08U0A是一款由三星电子生产的256Mbit（256兆字位）NAND闪存存储器，设计为8位宽的数据接口。这款存储器主要用于数据存储，可能被应用在各种硬件系统中，例如嵌入式系统、移动设备或存储板等。数据手册提供了详细的电气特性、操作时序、引脚配置以及编程和擦除指令等关键信息。 在历史版本中，我们可以看到文档经历了多个修订阶段，从先行版到最终版，每次修订都可能涉及到新的功能添加、参数调整或封装方案的变化。例如，某些修订增加了1.8V电源模块的支持，定义了新的电气参数，修改了封装尺寸，甚至增加了特定电压设备的新功能，如1.8V设备的copy-back编程功能，这是一种允许在不移动数据的情况下进行编程的功能，提高了数据处理效率。 文档中提到了一些重要的电气参数，例如tRHW（读写等待时间）、tCSD（芯片选择下降时间）、tADL（地址线最低有效时间）、tCS（芯片选择延迟时间）、tREH（芯片选择恢复时间）等，这些参数对于理解和正确使用该存储器至关重要，因为它们定义了存储器的操作速度和时序限制。 此外，1.8V设备的交流时序条件和一些新参数的引入，如tRPB（页编程结束时间）、tRCB（块擦除结束时间）和tREAB（读结束到擦除开始时间），进一步细化了1.8V电源下设备的性能指标。 需要注意的是，三星电子明确表示其产品不适用于生命维持、危重病人护理等对设备可靠性要求极高的应用，以及军事或国防用途，因为这些领域的设备故障可能会导致严重后果。 这份K9F2G08U0A数据手册是设计和开发涉及此型号NAND Flash存储器系统的工程师的重要参考资料，它提供了全面的技术细节，帮助用户了解如何正确集成和优化存储器在系统中的性能。如果在使用过程中遇到任何问题，可以联系最近的三星办事处获取支持。