UTC10N90：高效能N型场效应晶体管

"10N90 N型场效应管是Unisonic Technologies Co., Ltd生产的一款功率MOSFET，适用于高效能开关模式电源。该器件采用平面条纹和DMOS技术，提供低阻态电阻、低漏电流和优化的栅极电荷特性。其主要特点包括RDS(ON)为1.35欧姆（在VGS=10V时），最大漏电流为25微安（在VDS=900V时），并且能够承受高能量脉冲。10N90有TO-220和TO-220F1两种封装形式，每种封装的引脚分配分别为G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。" 10N90 N型场管是一种电力电子元件，主要用于电路设计中的开关控制。这款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由UTC（Unisonic Technologies Co., Ltd）制造，利用了先进的平面条纹和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）技术。这种技术的优势在于能够实现较低的导通电阻，这意味着在器件导通时，它能以更低的电压损失传输电流，从而提高电路效率。此外，10N90还具有出色的开关性能，这在需要快速切换状态的应用中至关重要。 该器件的主要特性包括： - RDS(ON)：这是衡量MOSFET在导通状态下电阻的参数，对于10N90来说，当栅极电压VGS达到10伏特时，其RDS(ON)仅为1.35欧姆，这意味着在导通状态下，流过器件的电流会有较小的压降，降低了功耗。 - 漏电流：在最大额定电压VDS（900伏特）下，10N90的最大漏电流限制为25微安，这保证了在非导通状态下，器件的电流泄漏非常小，提高了工作效率和稳定性。 - 栅极电荷：优化的栅极电荷特性意味着10N90在开关过程中所需的驱动电流较小，有助于减少开关损耗并提升整体系统的开关速度。 10N90提供了两种封装选项：TO-220和TO-220F1，两者都包含G、D和S三个引脚，分别代表栅极、漏极和源极。封装方式为管装，符合无铅和无卤素的标准，适用于环保要求严格的项目。此外，产品手册还列出了绝对最大额定值，确保在特定条件下器件的安全运行。 在实际应用中，10N90常被用于高效率开关模式电源，如开关电源、逆变器、电机驱动等场景，其低阻抗和良好的耐压能力使得它在处理大电流和高电压转换时表现出色。在设计电路时，正确选择和使用10N90可以优化系统的整体性能，降低功耗，提高能效。