FDS9933BZ-NL-VB：双通道P-Channel场效应MOS管，-30V高压规格

FDS9933BZ-NL-VB是一款由VBSEMİ制造的双通道P-Channel场效应MOSFET，采用SOP8封装，特别适合于对功率和效率有较高要求的应用场合。这款器件具有以下主要特点： 1. **环保设计**：FDS9933BZ-NL-VB采用无卤素材料，符合环保标准，减少了对环境的影响。 2. **TrenchFET技术**：该MOSFET采用了Trench FET结构，这种设计有助于降低栅极漏电流，提高开关性能，并在高电压和大电流下保持低导通电阻（RDS(on)）。 3. **高质量保证**：产品经过100% UISTest测试，确保了可靠性和稳定性。 4. **电气规格**： - **最大集电极-源极电压（VDS）**：-30V，保证了在安全工作范围内处理较大的电压差。 - **导通电阻（RDS(on)）**：在VGS=10V时为35mΩ，随着VGS下降到-4.5V，RDS(on)上升至0.045Ω，显示出良好的线性性能。 - **最大连续导通电流（ID）**：在室温下，可承受高达-7.3A的电流，而在70°C时略有减小。 - **开关特性**：如脉冲 Drain Current（DM）、连续 Source-Drain Diode Current（IS）等也有明确的限制。 5. **热管理**：MOSFET允许的最大功率损耗（PD）在不同温度下有所不同，例如，在25°C下为5.0W，而在70°C下降至1.6W，确保了在各种工作条件下能有效散热。 6. **温度范围**：FDS9933BZ-NL-VB的正常操作和存储温度范围为-55°C至150°C，包括TJ（运行温度）和Tstg（存储温度）。 7. **热阻抗**：参数Ma给出了典型的热阻，这有助于评估器件在散热设计中的表现。 这款器件适用于负载开关、电源管理和类似应用中，特别适合那些需要高效率、小型化和耐高温的系统。在选择和使用时，需注意其限制条件以及在特定工作条件下可能的变化。设计电路时，要考虑到这些电气特性和热性能的要求，以确保系统的稳定性和可靠性。