IR2181高电压桥式驱动芯片技术规格解析

"IR2181是一款桥式驱动芯片，适用于高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动，具备独立的高低侧参考输出通道。该芯片采用浮空通道设计，可承受负瞬态电压，并对快速电压变化（dV/dt）具有免疫性。" **IR2181关键特性：** 1. **浮空通道设计**：这种设计使得芯片适合于启动操作，能够在没有接地参考的情况下正常工作，适用于高压电源应用。 2. **耐压能力**：IR2181能够完全在+1200V的电压下运行，确保了其在高压环境下的稳定性。 3. **负瞬态电压容忍**：芯片可以承受负电压瞬变，提高了其在不稳定电源条件下的生存能力。 4. **dV/dt免疫**：对快速电压变化具有抗干扰能力，避免因电压变化过快导致的误动作。 5. **栅极驱动电源范围**：支持12至20V的栅极驱动电压范围，适应不同应用需求。 6. **双通道欠压锁定**：两个通道均具备欠压锁定功能，当电源电压低于安全阈值时，会自动关闭驱动。 7. **3.3V逻辑兼容**：逻辑输入兼容3.3V的CMOS或LSTTL输出，向下兼容低至3.3V的逻辑电平。 8. **独立逻辑电源范围**：逻辑电源可以从3.3V到20V，允许不同的电源配置。 9. **CMOS施密特触发电路带下拉电阻**：提供稳定的输入信号处理，确保输入信号的可靠转换。 10. **周期内边沿触发的关断逻辑**：通过周期性的边沿检测，实现高效的故障保护。 11. **双通道传播延迟匹配**：两个输出通道的传播延迟差仅为30ns，确保同步操作。 12. **输入与输出相位同步**：输入信号与输出信号保持相位一致，优化了驱动器的性能。 13. **封装类型**：IR2213系列提供了16引脚SOIC（宽体）和14引脚DIP两种封装形式，方便不同应用场景选择。 **产品概览：** IR2213（S）是IR2181的一个变种，同样具备高电压、高速度的特性。它具有最大1200V的隔离电压，以及+/-1.7A/2A的输出电流能力。输出电压范围为12-20V，典型开启/关闭时间（ton/off）分别为280ns和225ns，通道间延迟匹配为30ns。这款芯片还提供了无铅（PbF）版本以满足环保要求。 **应用领域：** IR2181常用于电力电子设备，如开关电源、电机控制、逆变器、UPS系统以及其他需要高效、高稳定性的高压功率器件驱动的场合。其出色的性能和宽泛的工作条件使其成为电力电子领域的理想选择。