APM2300CAC-TRL-VB:N沟道SOT23 MOSFET在DC/DC转换器中的应用
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更新于2024-08-03
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"APM2300CAC-TRL-VB是一款N沟道SOT23封装的MOSFET,适用于20V工作电压,具备低阻抗特性,其RDS(ON)在4.5V门极电压下为24mΩ,在2.5V门极电压下为33mΩ。此器件符合卤素免费标准IEC61249-2-21,是TrenchFET功率MOSFET技术的体现,且100%通过栅极电阻测试,符合RoHS指令。常用于DC/DC转换器和便携式应用的负载开关。"
APM2300CAC-TRL-VB是安森美半导体推出的一款高性能N沟道MOSFET,其核心特点是采用了TrenchFET技术,这种技术使得器件能够在保持小型化的同时,提供出色的电气性能。TrenchFET结构通过在硅片上形成深沟槽,极大地增加了导电通道的表面积,从而降低了导通电阻RDS(ON),使得在低电压下也能实现高效能和低功耗。
这款MOSFET的额定连续漏源电压VDS为20V,能承受的最大脉冲漏源电流IDM为20A,这使得它非常适合用于高电流、低电压的电源管理电路,如DC/DC转换器。在25°C结温下,连续漏源电流ID的最大值为6A,而在70°C结温下则降至5.1A。其门极阈值电压Vth在0.45~1V之间,这使得它易于驱动,并能在较宽的电源电压范围内工作。
对于热特性,MOSFET的最大结壳热阻RθJC在25°C时为2.1W/°C,而70°C时为1.3W/°C,这意味着在高负荷运行时,器件的热管理显得尤为重要,以防止过热。此外,器件的最大结温TJ和存储温度范围为-55至150°C,确保了在各种环境条件下都能稳定工作。
Qg(总栅极电荷)参数表明了开启和关闭MOSFET所需的能量,APM2300CAC-TRL-VB的典型值在25°C时分别为8.8nC (4.5V GS) 和5.6nC (1.8V GS),较低的Qg意味着更快的开关速度和更低的开关损耗。对于便携式设备而言,这些特性有助于提高电源效率并减少热量产生。
SOT23封装使得这款MOSFET具有小体积优势,适合空间有限的应用。然而,由于封装限制,其持续电流能力受到一定的制约。此外,该器件通过了100%的栅极电阻测试,确保了质量与可靠性,同时符合RoHS指令,无卤素,有利于环保。
APM2300CAC-TRL-VB是一款适用于需要高效、低功耗和小尺寸解决方案的电子设计中的理想MOSFET,尤其适用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器等应用。其优秀的电气特性和严格的环保标准,使得它成为现代电子系统中的一个可靠组件。
2024-04-11 上传
2023-11-21 上传
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