本文档详细介绍了BUK7675-55A-VB型号的N沟道MOSFET，该器件采用TO263封装，具有高性能和广泛的工业应用特性。以下是一些关键知识点：
1. **产品特点**：
- **无卤素符合IEC 61249-2-21标准**：这款MOSFET在设计上注重环保，符合国际电气标准，确保安全性和生态友好。
- **表面安装**：适合现代电子设计的趋势，方便小型化和自动化生产。
- **带卷带包装**：便于大规模生产，并支持自动化组装流程。
- **动态dv/dt等级**：对于脉冲电压变化有良好的适应性，确保电路稳定性。
- **逻辑电平驱动**：门极驱动电流需求低，易于与数字信号处理器和其他逻辑电路配合使用。
- **快速开关特性**：能实现高效的开关速度，减少损耗。
- **RoHS指令合规**：符合欧盟关于限制有害物质的指令（2002/95/EC），确保材料安全。
2. **电气规格**：
- **耐压**：最大 Drain-Source 电压（VDS）为60V，保证了电路在高压环境下的工作能力。
- **阈值电压**：Vth(V) = 1.9V，表明在门极电压下，器件开始导通的电压阈值较低。
- **导通电阻**：在10V和4.5V门极电压下，RDS(ON)分别为23mΩ和27mΩ，表示低阻抗，有利于降低开关损耗。
- **电流规格**：
- 连续工作电流（ID）：在25°C时，10V VGS下的最大值为50A。
- 高温限制：在100°C时，连续电流下降至36A。
- 脉冲电流（IDM）：可承受的最大短时峰值电流为200A。
- **功率参数**：最大功率耗散在25°C条件下为150W，考虑了温度对散热的影响。
3. **注意事项**：
- **重复脉宽限值**：必须注意脉冲宽度，以防超过最大结温限制（参见图11）。
- **热设计**：给出不同条件下的线性降额系数，如在PCB上的安装情况，功率耗散会有所不同。
- **恢复电压**：峰值二极管恢复速率（dV/dt）限制，对于瞬态保护至关重要。
BUK7675-55A-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于各种需要高开关速度、低阻抗和可靠性的电子应用，特别是在逻辑控制和开关电源领域。在设计电路时，需确保充分理解并遵守这些电气参数和工作条件限制，以充分发挥其性能潜力。
我的内容管理
展开
