BUK7635-55A-VB：N沟道MOSFET，TO263封装，RoHS兼容

"BUK7635-55A-VB是一种N沟道MOSFET，采用TO263封装，适用于表面安装，并具备高速开关、逻辑电平门驱动等特性，符合RoHS指令。" BUK7635-55A-VB是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）或类似制造商生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款器件主要特点是无卤素，符合IEC61249-2-21标准，这意味着它不含有卤化物质，对环境友好。此外，该MOSFET设计为表面贴装，便于自动化生产，同时提供带卷盘的封装形式，适合大规模电子制造。 该MOSFET具有动态dV/dt评级，意味着它能够在高电压变化率下稳定工作，这在快速开关应用中尤其重要。它支持逻辑电平门驱动，允许用较低的电压控制其开关状态，简化了驱动电路的设计。由于其快速切换能力，BUK7635-55A-VB适合在需要高效能电源转换、电机控制和其他高频开关应用中使用。 BUK7635-55A-VB的绝对最大额定值如下： - 漏源电压（VDS）：60V - 栅源电压（VGS）：±10V - 在10V栅极电压和25°C结温下的连续漏极电流（ID）：50A - 在100°C结温下的连续漏极电流：36A - 脉冲漏极电流（IDM）：200A - 单脉冲雪崩能量（EAS）：400mJ - 最大功率耗散（PD）：150W（在25°C时） 在实际应用中，需要注意热管理。当安装在1英寸平方的FR-4或G-10材料的PCB上时，线性热阻为0.025W/°C，这意味着随着温度上升，器件的功率耗散会相应减少。最大功率耗散在25°C环境下为150W，但在PCB上安装时，由于散热条件改变，最大功率耗散降低到3.7W。 此外，BUK7635-55A-VB具有峰值二极管恢复dV/dt特性，限制了在开关过程中电压变化速率，以防止过大的瞬态电流和潜在的电磁干扰问题。峰值di/dt限制了器件在特定条件下的瞬态电流能力，保护MOSFET免受损坏。 BUK7635-55A-VB是一款高性能、环保、易于集成的N沟道MOSFET，适用于需要高速、低功耗和高可靠性的电子设备。其特性使其特别适用于电源管理、逆变器、电机驱动以及需要高开关速度的其他电力电子系统。