NTF5P03T3G-VB MOSFET技术规格与应用解析
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更新于2024-08-03
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"NTF5P03T3G-VB是一款P沟道的TrenchFET® Power MOSFET,适用于SOT223封装,广泛应用在负载开关和适配器开关等领域,如笔记本电脑。该器件符合无卤素(IEC61249-2-21定义)和RoHS指令要求,并通过了100% Rg和UIS测试。关键特性包括低导通电阻、快速开关性能和良好的热特性。"
NTF5P03T3G-VB是一款由N沟道技术制造的TrenchFET® Power MOSFET,其SOT223封装设计使其适合于表面安装应用。器件的主要特点包括:
1. **无卤素**:符合IEC61249-2-21标准,确保其环保特性,不含卤化物。
2. **TrenchFET® 技术**:采用沟槽结构,提供更低的导通电阻(RDS(on)),提高效率并降低功耗。
3. **100% Rg和UIS测试**:所有产品均经过严格的栅极电阻(Rg)和不可控瞬间电压(UIS)测试,保证了器件的可靠性和稳定性。
4. **RoHS兼容**:符合2002/95/EC RoHS指令,确保无铅且符合电子设备的环保要求。
在应用方面,NTF5P03T3G-VB主要用于:
- **负载开关**:在电路中控制电流的通断,如电源管理。
- **适配器开关**:在笔记本电脑等设备中,用于电源转换和管理。
器件的关键参数如下:
- **最大漏源电压 (VDS)**:-35V,保证了在规定温度下的工作安全性。
- **导通电阻 (RDS(on))**:在VGS=-10V时为0.040Ω,在VGS=-4.5V时为0.048Ω,这表明其在低电压下仍能保持低阻态。
- **脉冲漏电流 (IDM)**:最大值为-20A,可用于短暂的大电流需求。
- **连续源漏二极管电流 (IS)**:在室温下最大为-3.5A,允许一定程度的反向电流流过。
- **雪崩能量 (EAS)**:单脉冲雪崩能量最大为5mJ,显示了器件的抗雪崩能力。
此外,NTF5P03T3G-VB还具有明确的绝对最大额定值和热性能指标:
- **最大功率耗散 (PD)**:在不同温度下有不同限制,例如在25°C时为4.2W,在70°C时为2.7W。
- **热阻抗**:给出了不同条件下的结温至环境的热阻,影响器件的散热性能。
综合以上信息,NTF5P03T3G-VB是一款高性能、环保且可靠的P沟道MOSFET,适用于需要高效能、低损耗和良好热管理的应用场景。在设计中,应考虑其额定参数和热特性,确保在实际操作中的稳定性和耐用性。
2023-12-15 上传
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