AO3413-VB SOT23 P-Channel MOSFET: -20V/-4A特性与应用指南

本文档详细介绍了AO3413-VB型号的P-Channel沟道SOT23封装MOSFET晶体管，它由VBSEMICONDUCTOR公司生产。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **封装类型**：SOT-23，这是一种小型表面安装技术(SMT)封装，适用于紧凑空间应用，1英寸x1英寸FR4板上安装。 2. **电气参数**： - **最大集电极-源电压（VDS）**：-20V，确保了在安全范围内操作。 - **栅极-源电压范围（VGS）**：±12V，支持宽广的控制电压范围。 - **典型开启导通电阻（RDS(on)）**：在不同的VGS条件下有所不同，如VGS=-10V时为0.060Ω，VGS=-4.5V时降为0.065Ω，VGS=-2.5V时为0.080Ω。 - **阈值电压（Vth）**：-0.81V，这是开启导通所需的最小栅极电压。 - **最大连续集电极电流（ID）**： - 在25°C时为-4.0A，70°C时降低到-3.2A。 - 最大脉冲集电极电流（DM）限制在-10A，持续时间5秒。 - **最大连续漏极-源反向电流（IS）**：-2.0A，在25°C时限制为-1.0A。 3. **热性能**： - **最大功率损耗（PD）**：在25°C下，最大为2.5W，而在70°C时下降至1.6W。 - **热阻值**： - J-Case：典型值为40°C/W，最大值为50°C/W，反映了芯片与散热器之间的热量传递效率。 - J-Ambient：最大5s瞬态热阻为75°C/W，表明在短时间内能有效散热。 4. **温度规格**： - 操作和存储温度范围：-55°C 至 +150°C。 - TJ（结温）：设备允许的最高工作温度。 5. **特点**： - **设计特点**：这款MOSFET是无卤素的，符合某些环境标准，适合对环保有要求的应用场合。 6. **注意事项**： - 参数基于25°C条件，实际应用可能需考虑温度变化的影响。 - 安全操作时要考虑最大瞬态和持续状态下的电流、功率和温度限制。 AO3413-VB是一款适合于各种低电压、高电流控制应用的P-Channel SOT23封装MOSFET，其性能稳定、尺寸紧凑，并具有良好的热管理特性。在选择和使用这款MOSFET时，务必参考这些关键参数以确保系统安全和高效运行。