AO3413-VB SOT23 P-Channel MOSFET: -20V/-4A特性与应用指南
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了AO3413-VB型号的P-Channel沟道SOT23封装MOSFET晶体管,它由VBSEMICONDUCTOR公司生产。这款MOSFET具有以下关键特性:
1. **封装类型**:SOT-23,这是一种小型表面安装技术(SMT)封装,适用于紧凑空间应用,1英寸x1英寸FR4板上安装。
2. **电气参数**:
- **最大集电极-源电压(VDS)**:-20V,确保了在安全范围内操作。
- **栅极-源电压范围(VGS)**:±12V,支持宽广的控制电压范围。
- **典型开启导通电阻(RDS(on))**:在不同的VGS条件下有所不同,如VGS=-10V时为0.060Ω,VGS=-4.5V时降为0.065Ω,VGS=-2.5V时为0.080Ω。
- **阈值电压(Vth)**:-0.81V,这是开启导通所需的最小栅极电压。
- **最大连续集电极电流(ID)**:
- 在25°C时为-4.0A,70°C时降低到-3.2A。
- 最大脉冲集电极电流(DM)限制在-10A,持续时间5秒。
- **最大连续漏极-源反向电流(IS)**:-2.0A,在25°C时限制为-1.0A。
3. **热性能**:
- **最大功率损耗(PD)**:在25°C下,最大为2.5W,而在70°C时下降至1.6W。
- **热阻值**:
- J-Case:典型值为40°C/W,最大值为50°C/W,反映了芯片与散热器之间的热量传递效率。
- J-Ambient:最大5s瞬态热阻为75°C/W,表明在短时间内能有效散热。
4. **温度规格**:
- 操作和存储温度范围:-55°C 至 +150°C。
- TJ(结温):设备允许的最高工作温度。
5. **特点**:
- **设计特点**:这款MOSFET是无卤素的,符合某些环境标准,适合对环保有要求的应用场合。
6. **注意事项**:
- 参数基于25°C条件,实际应用可能需考虑温度变化的影响。
- 安全操作时要考虑最大瞬态和持续状态下的电流、功率和温度限制。
AO3413-VB是一款适合于各种低电压、高电流控制应用的P-Channel SOT23封装MOSFET,其性能稳定、尺寸紧凑,并具有良好的热管理特性。在选择和使用这款MOSFET时,务必参考这些关键参数以确保系统安全和高效运行。
2024-03-13 上传
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