IRFR540ZPBF-VB是一款高性能的N沟道TrenchFET系列MOSFET,它专为高功率应用设计,具有以下关键特性: 1. **耐压特性**:该MOSFET支持100V的Drain-Source(D-S)电压,这意味着它可以处理高达100伏特的电压差异,确保了在高压电路中的稳定工作。 2. **低阻抗**:在典型条件下,当VGS为10V时,其RDS(on)为0.030Ω,表现出极低的导通电阻,有助于减少功率损耗。而在4.5V的VGS下,RDS(on)为0.031Ω,进一步显示了其高效率。 3. **电流容量**:它允许连续40A的Drain Current (ID)在25°C时,而且在125°C的温度下还有23A的限制。对于脉冲电流,最大允许值为120A(IDM)。此外,它还具有较高的Avalanche Current(IAR)能力,能承受短暂过电压情况。 4. **热性能**:该MOSFET的热设计出色,包括175°C的Junction Temperature,以及低的Thermal Resistance,如Junction-to-Ambient(RthJA)为40°C/W,Junction-to-Case(RthJC)为1.4°C/W,有助于散热管理,延长元器件寿命。 5. **安全限制**:操作和存储温度范围宽广,从-55°C到175°C,但需注意电压降(VBR)和电流限制,特别是在长时间或峰值操作时,应参考安全工作区(SOA)曲线。 6. **封装和合规性**:IRFR540ZPBF采用TO252封装,符合RoHS标准,但须注意Pb(铅)含量的终端可能不完全符合RoHS规范,可能需要额外考虑。 7. **功耗和散热**:最大功率损耗为107W(PD)在25°C时,而TA=25°C时的热阻表明,在实际应用中,用户需要确保足够的散热措施来防止器件过热。 这款MOSFET适合于需要高电压、大电流且对散热性能有较高要求的电子设备,如电源管理、电机驱动和开关电源等场合。在集成设计时,应根据制造商提供的数据表和SOA曲线进行精确计算,以确保元件的安全运行。
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