Superspeed Inter-Chip补充：M-PHY和USB 3.0接口详细设计

本资源是一份关于Superspeed Inter-Chip Supplement 1.02，发布日期为2014年5月19日，与USB 3.0规范修订1.02相配套。这份文档详细介绍了Superspeed Inter-Chip Communication (SSIC) 的关键特性和与标准SuperSpeed USB的比较，旨在适应M-PHY物理层设计，并对数据传输、同步、状态管理、协议管理和设备框架进行了深入阐述。 1. **重要特性**： - SSIC显著特点是其高效的数据传输速度和芯片间的通信能力，它在物理层通过M-PHY模块实现，提供了高速、低延迟的连接。 - 与标准SuperSpeed USB相比，SSIC可能具有更强的带宽支持，更低的延迟，以及更优化的芯片间通信架构。 2. **M-PHY物理层设计**： - M-PHY是为SSIC量身定制的，概述了其模块能力，包括配置属性和状态机设计。 - 物理层关注于数据编码（如Line Coding）、时钟补偿、数据加密（Data Scrambling）以及初始化过程（如PowerOn Reset和Inband Reset）。 - 物理层还定义了LS-MODE的支持，这是一种低速模式，适合特定的应用场景。 3. **链路层**： - 链路层关注比特和字节的顺序，逻辑空闲状态和突发非插入，以及Link Training and Status State Machine (LTSSM)的状态转换。 - 时序要求严格，确保数据传输的准确性和稳定性。 4. **协议层**： - 包括Port Capability Link Management Packet (LMP)的管理，以及协议中的定时参数设置，这些都对数据包交换和设备管理至关重要。 5. **设备框架**： - 设备框架涉及动态附件和移除功能，确保了系统的灵活扩展和兼容性。 6. **测试和验证**： - 提供了MPHY.TEST模块，用于进行功能验证，包括进入测试模式、环回测试、接收突发测试等，以及对不同模式（如Analog Loopback和Tx Compliance）的说明。 - 附录中包含详细的时序图，对理解和实现SSIC协议有辅助作用。 这份文档对开发人员设计兼容SSIC的USB 3.0设备或接口控制器极为有用，涵盖了从物理层到协议层的完整技术细节，是深入理解高速、低延迟芯片间通信的关键参考资料。