CSD17579Q3A-VB: 低功耗N沟道DFN8封装MOSFET，广泛应用于DC-DC转换与笔记本游戏

CSD17579Q3A-VB是一款采用先进的TrenchFET®技术的N沟道DFN8(3X3)封装MOSFET，该器件专为高性能和绿色设计而优化。这款MOS管的特点包括： 1. **环保特性**：CSD17579Q3A-VB是无卤素材料制造，符合RoHS兼容标准，体现了对环境友好的承诺。 2. **TrenchFET结构**：作为一款沟槽型场效应晶体管，它利用深度刻蚀技术，提供了高效能和低损耗的开关性能。 3. **严格的测试标准**：100%的Rg和UISTest确保了元件的可靠性，这意味着在不同的工作条件下，如在Tj=150°C下连续运行时，其性能稳定。 4. **应用领域广泛**：该MOSFET适用于多种应用场景，包括DC/DC转换器（作为低侧开关）、笔记本电脑、游戏设备等，特别是在需要高效率和紧凑封装的场合。 5. **电气规格**： - **电压限制**：VDS（漏源电压）最高可达30V，VGS（栅源电压）范围为±20V。 - **电流能力**：在不同温度下，连续 Drain Current（ID）有所不同，例如在TC=25°C时，ID的最大值为17.1A；最大脉冲 Drain Current（IDM）为100A，单脉冲 Avalanche Current（IAS）为10A，Avalanche Energy（EAS）为5mJ。 - **功率处理**：最大功率耗散（PD）在不同温度下也有限制，如在TC=25°C下，PD为60W。 6. **温度范围**：该MOSFET的工作和存储温度范围在-55°C到150°C之间，具有良好的热管理特性。 7. **热阻**：CSD17579Q3A-VB具有较低的Junction-to-Ambient热阻（RthJA），典型值为27°C/W，确保了在短时间（t≤10s）内良好的热传递。此外，还有Junction-to-Foot热阻（RthJF），用于衡量漏极与基座之间的热传输。 8. **封装细节**：MOS管采用1"x1" FR4板的表面安装技术，提供紧凑的尺寸，适合于空间受限的应用。 总结起来，CSD17579Q3A-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，具有广泛的温度适应性、低功耗和优良的散热性能，适合于各种需要高效率、小型化和环保要求的电子系统设计。在选择或设计电路时，需要考虑其电压、电流和温度限制，以确保最佳的性能和可靠性。