NAND vs NOR Flash：技术特性与差异分析

"M-Systems发布的WhitePaper《NAND vs NOR：两种闪存技术对比》" 在非易失性闪存市场中，NAND 和 NOR 闪存是两种主流技术。NOR 闪存由英特尔在1988年首次引入，打破了当时由EPROM和EEPROM设备主导的局面。而NAND闪存架构则是1989年由东芝推出的。尽管大多数硬件工程师对这两种技术都有所了解，但他们通常将NOR架构称为“闪存”，对NAND闪存及其相对于NOR的诸多优势并不熟悉。这主要是因为大多数闪存设备用于存储和运行代码（通常是小容量），而NOR闪存是这类应用的首选。 NOR和NAND的主要区别在于以下几个方面： 1. **访问速度和结构**：NOR闪存允许随机读取，这意味着可以直接执行存储在其中的代码，其访问速度较快。而NAND闪存则需要按块进行读写操作，速度相对较慢，但更适合大数据量的顺序读写。 2. **存储密度**：NAND闪存的存储密度远高于NOR，因为它使用更小的单元设计和更复杂的电路结构。这使得NAND在高容量数据存储方面更具优势。 3. **耐用性**：NAND闪存的擦写次数通常少于NOR，因此在耐用性上略逊一筹。然而，由于其更高的存储密度，NAND在整体成本效益上可能更高。 4. **成本**：由于NAND的制造工艺更为复杂，但在单位存储容量上的成本更低，因此对于需要大量存储但对速度要求不那么高的应用，NAND更加经济。 5. **错误校验和管理**：NAND闪存通常需要更复杂的错误检测和纠正机制，因为它的错误率相对较高。NOR在这方面的要求较低。 6. **控制逻辑**：NOR闪存通常内置简单的控制逻辑，可以直接由处理器访问。而NAND闪存需要更复杂的控制器来管理其块管理和错误校正功能。 7. **应用领域**：NOR闪存常用于启动加载器、微控制器和其他需要快速执行代码的设备中，如嵌入式系统。而NAND闪存常见于移动设备、固态硬盘（SSD）以及需要大量存储空间的应用，如数字多媒体和大数据存储。 NAND和NOR闪存各有优缺点，选择哪种技术取决于具体应用的需求。如果需要快速执行代码和小容量存储，NOR可能是更好的选择；而对于需要大量存储空间和成本效益的应用，NAND则更具吸引力。在实际应用中，根据表1（原文未提供具体内容）进行比较，可以帮助工程师快速确定适合项目需求的闪存类型。