英飞凌IPG20N10S4-36A OptiMOS-T2 Power Transistor 中文规格手册：高耐压、低损耗

IPG20N10S4-36A是一款由INFINEON（英飞凌）公司生产的OptiMOS™-T2 Power-Transistor，它属于双N沟道正常级增强模式功率晶体管，适用于高效率和可靠性要求的工业和消费电子应用。这款芯片具备了多项关键特性： 1. **双N沟道**：设计为两个独立的N沟道，可以同时驱动或并联工作，提高电流处理能力。 2. **AEC-Q101 认证**：符合汽车电子委员会的严格标准，确保在汽车电子环境中的可靠性和稳定性。 3. **高温耐受**：MSL1等级最高可达260°C，即峰值再流温度，以及175°C的工作温度范围，适合高温环境下的应用。 4. **绿色产品**：RoHS兼容，符合环保法规，降低了对环境的影响。 5. **高抗过载能力**：通过100%的雪崩测试，适合自动光学检测(AOI)生产流程。 6. **自动化检测可行性**：适合于自动化生产线上的精确检测和安装。 7. **电流参数**：连续导通电流（ID）在25°C时单通道可达到20A，而在100°C下为17A；脉冲电流（ID,pulse）最大为80A，单次雪崩能量（EAS）为60mJ，单次雪崩电流（IAS）为15A。 8. **电压控制**：栅极源电压（VGS）范围为±20V。 9. **功率损耗**：在25°C下单通道最大功率损耗（Ptot）为43W。 10. **温度范围**：操作和储存温度范围为-55°C至+175°C。 11. **物理特性**：封装类型为PG-TDSON-8-10，标记为4N1036，有Rev.1.1版本，发布日期为2015年4月13日。 这款IPG20N10S4-36A凭借其高效能、高可靠性和宽温工作范围，适用于各种工业自动化设备、电机控制、电源管理、汽车电子系统等需要高性能开关元件的应用场合。设计者在选择时需注意其最大电流、电压限制和散热要求，以确保在指定条件下稳定运行。